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(数字电子技术基础)第2章. 门电路.ppt
电子技术;第二章 门电路;门电路是用以实现逻辑关系的电子电路,与我们所讲过的基本逻辑关系相对应,门电路主要有:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。;1;R1;;二极管或门;R1;R1;二极管-三极管或非门和与或非门;1. 体积大、工作不可靠。; 数字集成电路的分类;目前数字系统中普遍使用TTL和CMOS集成电路。 TTL集成电路工作速度高、 驱动能力强,但功耗大、集成度低; MOS集成电路集成度高、功耗低。超大规模集成电路基本上都是MOS集成电路,其缺点是工作速度略低。目前已生产了BiCMOS器件,它由双极型晶体管电路和MOS型集成电路构成,能够充分发挥两种电路的优势, 缺点是制造工艺复杂。;小规模集成电路(SSI-Small Scale Integration), 每片组件内包含10~100个元件(或10~20个等效门)。
中规模集成电路(MSI-Medium Scale Integration),每片组件内含100~1000个元件(或20~100个等效门)。
大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration), 每片组件内含1000~100 000个元件(或100~1000个等效门)。
超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale Integration), 每片组件内含100 000个元件(或1000个以上等效门)。
; 目前常用的逻辑门和触发器属于SSI, 常用的译码器、数据选择器、 加法器、 计数器、 移位寄存器等组件属于MSI。 常见的LSI、 VLSI有只读存储器、 随机存取存储器、 微处理器、 单片微处理机、 位片式微处理器、 高速乘法累加器、 通用和专用数字信号处理器等。 此外还有专用集成电路ASIC, 它分标准单元、 门阵列和可编程逻辑器件PLD。 PLD是近十几年来迅速发展的新型数字器件, 目前应用十分广泛.
;;TTL与非门的内部结构;1. 任一输入为低电平(0.3V)时;+5V;2. 输入全为高电平(3.4V)时;2. 输入全为高电平(3.4V)时;2.3.2 TTL与非门的特性和技术参数;一、电压传输特性;UOL;1) 输出高电平UOH、输出低电平UOL; 3) 开门电平UON和关门电平UOFF
UON称为开门电平。当输入电压大于UON时,逻辑门处于关闭状态。UON的典型值为1.4 V,一般要求小于1.8 V。
UOFF称为关门电平。当输入电压小于UOFF时,逻辑门处于开通状态。UOFF的典型值为1.0 V,一般要求大于0.8 V。 ; 4) 抗干扰容限UNL和UNH
逻辑门低电平输入时的抗干扰容限UNL,
UNL = UOFF-UIL
逻辑门高电平输入时的抗干扰容限UNH,
UNH = UIH-UON 抗干扰容限用来表征逻辑门的抗干扰能力。 一旦干扰电平超过抗干扰容限, 逻辑门将不能正常工作。通常,UNL<UNH, 因此, 常用UNL作为逻辑门的抗干扰容限。 ;二、输入、输出负载特性;R1;前级输出为 低电平时;灌电流的计算;关于电流的技术参数;2. 扇出系数;+5V;输出低电平时,流入前级的电流(灌电流):;3. 输入端通过电阻R接地的情况;R较小时;R增大;1. 悬空的输入端相当于接高电平。;4. 平均传输时间;;;应用时输出端要接一上拉负载电阻RL;1. OC门可以实现“线与”功能;F=F1F2F3?;全部截止;2. 负载电阻RL和电源 UCC可以根据情况选择;问题;OC门的应用;50;2.4.2 三态门;0;1;;;0;;2.5.2 CMOS反相器;UCC;UCC;2.5.2其他逻辑功能的CMOS门电路;2.6.1漏极开路门(OD门);2.6.2 CMOS传输门;2.6.3 三态输出门(TS门); CMOS电路的优点; ; 对于或门及或非门的多余输入端,可以使其输入低电平。具体措施是通过小于500Ω的电阻接地或直接接地。在前级门的扇出系数有富余时, 也可以和有用输入端并联连接。
对于与或非门,若某个与门多余,则其输??端应全部输入低电平(接地或通过小于500Ω的电阻接地),或者与另外同一个门的有用端并联连接(但不可超出前级门的扇出能力)。
若与门的部分输入端多余, 处理方法和单个与门方法一样。 ; (2) MOS门。 MOS门的输入端是MOS管的绝缘栅极, 它与其它电极间的绝缘层很容易被击穿。虽然内部设置有保护电路,但它只能防止稳态过压,对
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