4.1_MOS场效应晶体管的结构_工作原理.ppt

; N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号见图 4.1。其中： D(Drain)为漏极，相当c； G(Gate)为栅极，相当b； S(Source)为源极，相当e。 图4.1 N沟道增强型 MOSFET结构示意图（动画）; ; ; ; ; ; ; ; P沟道增强型MOSFET的结构和工作原理;