NAND_FLASH详解.ppt

深度解读闪存-FLASH;第三章 FLASH发展;第一章 FLASH的感性认识;第二节 FLASH的分类 功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与 运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机 中所用的记忆卡。 NOR FLASH和NAND FLASH NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年 首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统 天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结结，强调 降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升 级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和 NAND闪存。 ; NOR FLASH和NAND FLASH的区别 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 ;SLC/MLC基本原理 什么是SLC和MLC？ SLC全称为Single-Level Cell，MLC全称为Multi-Level Cel数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。其中一种叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；第二种叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。 SLC芯片和MLC技术特点及区别 一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。SLC晶片可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。;A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达 到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。 B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。 C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。 D.MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。 目前MLC和SLC 在2GB闪存芯片上的价格相差了将近100多元，他们的差异还是比 较明显的。所以对于选择数码播放器的朋友，选择更便宜廉价的MLC芯片产品还 是选择稳定性和性能更好的SLC产品，就看你的需要了。;第三节 NAND FLASH 品牌;第二章 FLASH制作过程;第一节 封装方式;封装方式一 BGA;2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善 热性能。 3.信号传输延迟小，适应频率大大提高。 4.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。;封装方式三 TSOP;单芯片TSOP生产工艺流程比较简单，只需要经过一次贴片、一次烘烤、一次引线键合就可以了，流程如图所示： ;第二节 FLASH具体制作封装过程; 晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆又是什么制作来的呢--硅，晶圆的原始材 料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅 。 硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%）接着是将 这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制 版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片 一片薄薄的晶圆。我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这 座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩 小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成 本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产 晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。 硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅 晶圆片，这就是“晶圆”。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有 特定电性功能之IC产品。 ;第三章 FLASH的发展;第一节 闪存前期发展至90纳米制程的过渡;1.2001年初，三星电子18日表示，已推出采用0.15微米制程技术的512Mb NAND型快闪内存。 2.2001年9月，三星电子领先业界首度采0.12微米制程，将1G NAND型闪存（Flash Memory）商用化，此次共推出1G单颗闪存及2颗堆栈式2G闪存，计划用于近来需求遽增的PDA与记忆卡等需储存量多资料的产品。 3. 2004年ST采用120纳