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无机非金属材料节课论文 氮化铝陶瓷 学院：材料科学与工程 专业：焊接技术与工程 姓名：张乾荣 学号 氮化铝陶瓷研究和发展 氮化铝 定义： 由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半导体材料。分子式为AlN。室温下禁带宽度为6.42eV，属直接跃迁型能带结构。  HYPERLINK /view/292167.htm \t _blank 分子式:AlN 　　 HYPERLINK /view/346251.htm \t _blank 分子量:40.99 　　 HYPERLINK /view/38960.htm \t _blank 密度:3.235g/cm3 　它的特性 　(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上； 　　(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； 　　(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良； 　　(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结； 　　(5)纯度高； 　　(6)光传输特性好； 　　(7)无毒； 　　(8)可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。 发展历程 摘要: 粉末的合成,成形,烧结3个方面详细介绍氮化铝陶瓷的研究状况指出低成本的粉末制备工艺和氮化铝陶瓷的复杂形状成形技术是目前很有价值的氮化铝陶瓷的研究方向。 关键词： 氮化铝陶瓷.高热导率.制备工艺。 氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为 70-210 W?m?1?K?1，而单晶体更可高达 275 W?m?1?K?1 )，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮化铝可通过 HYPERLINK /view/157830.htm \t _blank 氧化铝和碳的 HYPERLINK /view/1461375.htm \t _blank 还原作用或直接氮化金属铝来制备。氮化铝是一种以共价键相连的物质，它有六角晶体结构，与硫化锌、纤维锌矿同形。此结构的空间组为P63mc。要以热压及焊接式才可制造出工业级的物料。物质在惰性的高温环境中非常稳定。在空气中，温度高于700℃时，物质表面会发生氧化作用。在室温下，物质表面仍能探测到5-10纳米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保护物质。但当温度高于1370℃时，便会发生大量氧化作用。直至980℃，氮化铝在氢气及二氧化碳中仍相当稳定。矿物酸通过侵袭粒状物质的界限使它慢慢溶解，而强碱则通过侵袭粒状氮化铝使它溶解。物质在水中会慢慢水解。氮化铝可以抵抗大部分融解的盐的侵袭，包括氯化物及冰晶石〔即六氟铝酸钠〕。 氮化铝（ALN）是一种综合性能优良新型陶瓷材料具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低的介电常数和介电损耗,无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料受到了国内外研究者的广泛重视,理论上(ALN)的热导率为320W.m-1.K-1工业上实际制备的多晶氮化铝的热导率也可达100W.m-1.K-1~ 250W.m-1.K-1该数值是传统基片材料氧化铝热导率的5倍~10倍接近于氧化铍的热导率但由于氧化铍有剧毒在工业生产中逐渐被停止使用。另外氮化铝还耐高温耐腐蚀不为多种熔融金属和融盐所浸润因此可用作高级耐火材料和坩埚材料也可用作防腐蚀涂层如腐蚀性物质的容器和处理器的里衬等。氮化铝粉末还可作为添加剂加入各种金属或非金属中来改善这些材料的性能-高纯度的氮化铝陶瓷呈透明状可用作电子光学器件。氮化铝还具有优良的耐磨耗性能可用作研磨材料和耐磨损零件。 可引文献： 郭坚.丘泰 Al(H_2PO_4)_3和H_3PO_4改性AlN粉末的研究[期刊论文]-电子元件与材料 2010(2) 不同的应用领域 摘要 :从氮化铝陶瓷的实际应用领域进行了氮化铝陶瓷应用现状及前景的介绍；从其制备工艺介绍了氮化铝陶瓷的研究状况，并指出了低成本的粉末制备工艺和氮化铝陶瓷的复杂形状成形技术是目前很有价值的氮化铝陶瓷的研究方向 关键词: 氮化铝陶瓷；高热导率；应用领域；制备工艺 1 AlN陶瓷的直接应用：AlN作为基板材料高电阻率、高热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的最基本要求。封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本等特点和一定的力学性能。大多数陶瓷是离子键或共价键极强的材