光纤通信第二章3-瞬态性质解答.pptVIP

第2.3讲 半导体激光器的瞬态性质;一、瞬态现象;2、瞬态过程的物理解释 —电子和光子相互作用 t=0: 阶跃电流脉冲注入 0-td: 对导带底部填充电子， 使电子密度达到nth td –t1： 激光器开始激射，光场建立，导带中电子的超量填充 t1 –t2 ：有源区过量复合 t2 –t3： 过量复合持续，电子密度降到nth 以下，S也下降 t3以后： 重新对导带底部填充电子 ;二、速率方程组及其解 1、简化速率方程组 （1）简化条件 注入电流均匀恒定，不需考虑梯度场和漂移场的影响 不需考虑光场的側向漏出 忽略非辐射复合的影响 阈值以上单纵模振荡 ;n(t)和s(t): 分别为有源区里自由电子和光子密度 j: 注入电流密度 e0：电子电荷 d: 有源区的厚度 Rsp：自发发射的速率，Rsp = n(t)/ ?sp g(n): 增益函数 ?ph：光子的寿命时间 ?： 自发发射进入激光模式的系数;2、速率方程组的稳态解;（3）稳态方程的解;3);小信号近似;方程两边再次求导, 利用关系式;式中;小结： 张弛振荡的衰减时间?0 = 1/?，与?sp 同一数量级，并随注入电流的增加而减小； 张弛振荡的角频率与?sp和?ph 有关，并随注入电流的增加而升高。;（2）电光延迟时间;直流预偏值电流的作用; 4、码型效应 原因：电光延迟 有源区里电子的 存储时间 特点：调制速率越高、 连零数越长， 码型效应越明 显。 抑制方法：适当地增加 直流预偏置电流;三、结发热效应 1、结区热方程式 C — 结区的热容量（J/K） R — LD的热阻（K/W） 2、注入稳定电流I 达到热平衡时，? = R（Vj I + I2 Rs ） Ith = Ith0 exp[R（Vj I + I2 Rs ）/ K0 ] ;3、进行脉冲调制时 (1) 当0 ? t ? ? 初始条件： (2) 当 t ? ? ;4、小结 结发热效应的特点：低频调制（码元持续时间与热时间 常数C R相当）时明显 抑制方法：适当增加直流偏制电流;四、自脉动现象;20; 2、自脉动现象的机理 —— 非线性增益 ;超线性增益可能的机制;3、双区共腔结构 1）结构特点： 电学特性：两个区域 r1 = L1 / L r2 = L2 / L 光学特性：??区共处 在同一谐振腔里 2) 速率方程组 必要条件： g1 ? 0, g2 ? 0 或 g1 ? 0, g2 ? 0 3）物理解释;4) 速率方程组求解;小结