第二章二极管及基本电路20140206精编.ppt

模拟电子技术基础;第2章 二极管及基本电路 1、半导体的基本知识 2、PN结的形成及特性 3、二极管及伏安特性 4、二极管的等效模型 5、二极管基本电路及分析方法 6、特殊二极管;一、本征半导体 1、半导体、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。;由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子;自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 温度一定时，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴的浓度加大。 本征半导体中自由电子与空穴的浓度相同。;运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，导电性很差。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 ;一、半导体的基本知识;一、半导体的基本知识;;物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体都存在这种现象。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场，不利于扩散运动的继续进行。; 因电场作用所产生的少数载流子运动称为漂移运动。;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，多数载流子扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于正向导通状态，正向电阻很小。;二、PN结的单向导电性;当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。;四、PN结的电容效应 1、势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容CB。 2、扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容CD。;一、二极管的组成 二极管实质是PN结，P型半导体为阳极、N型半导体为阴极。;二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。;2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流 IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移;最大整流电流;理想 模型;四、二极管的等效模型;二、二极管小信号等效电路;一、直流分析;理想模型;（硅二极管典型值）;二极管截止;二极管导通;电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。;如何判断二极管工作状态？;;2. 若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？;V＝2V，ID≈2.6mA;进入稳压区的最小电流;2.主要参数 稳定电压UZ 稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 3.三个工作区;六、特殊二极管;解：（1）当UI＝10V时， 若UO＝UZ＝6V， 则稳压管的最大电流为4mA，小于 其最小稳定电流???所以稳压管 未击穿。故 ;当UI＝35V时，稳压管中的电流：;稳压管应用于双向限幅电路;六、特殊二极管;六、特殊二极管;六、特殊二极管;二、其他特殊二极管 4、发光二极管 发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（As）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。 普通发光二极管在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。红外发光二极管也称红外线发射二极管，可以将电能直接转换成红外光（不可见光）并能辐射出去，主要用于各种光控及遥控发射电路中。;二、其他特殊二极管 5、激光二极管 激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料可以分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）四种激光二极管。 激光二极管在计算机上的光盘驱动器，激光打印机中的打印头等小功率光电设备中得到了广泛的应用。