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三极管的开关特性_门电路教程
§ 2 门电路 ;2. 2 二极管和三极管的开关特性;;;较大的反向漂移电流; 在数字电路中,三极管是作为开关使用的。 三极管截止相当于开关断开;三极管饱和相当于开关闭合;因此我们最关心三极管截止和饱和时的情况。 一、开关特性;图2.2.6 双极型三极管的特性曲线;图2.2.8 用图解法分析图2.2.7电路 (a)电路图 (b)作图方法;截止.饱和条件:
截止条件:
饱和条件:;图2.2.9 双极型三极管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)饱和导通状态;图2.3.1 二极管与门;图2.3.2 二极管或门;图2.3.3 三极管非门(反相器); 2.4 TTL门电路 TTL(Transistor-Transistor-Logic);图2.4.1 TTL反相器的典型电路;非门内部电路工作原理;2、推拉输出电路;二、TTL非门的主要外部特性;2.4.4 其它TTL门;图2.4.22 TTL或非门电路;图2.4.23 TTL与或非门;图2.4.24 TTL异或门;图2.4.25 推拉式输出级并联的情况;图2.4.26 集电极开路与非门的电路和图形符号;图2.4.27 OC门输出并联的接法及逻辑图;图2.4.31 三态输出门的电路图和图形符号 (a)控制端高电平有效 (b)控制端低电平有效;三态输出门 三态:电路输出端可以处于三种状态:高电平、低电平和悬空态。 推拉输出的特点是T4、T5轮流导通,如果我们使T4、T5全都截止,则输出端处于悬空态,也称高阻态。;图2.4.32 用三态输出门接成总线结构;图2.4.33 用三态输出门实现数据的双向传输;;2.6 CMOS 门电路;N沟道增强型和P沟道增强型; (1) 当输入电压VI为低电平时,VI=0
T1管导通,T2管截止,输出电压V0为:
VDD
(2) 当输入电压VI为高电平时,VI=VDD
T1管截止,T2管导通,输出电压V0为:0v
与 TTL 反相器相比,输出高电平更高(= VDD), 稳态时,且总有一个管子是截止的,工作电流极小,功耗极
低。;图2.6.2 CMOS反相器的电压传输特性;图2.6.3 CMOS反相器的电流传输特性;图2.6.4 不同VDD下CMOS反相器的噪声容限;图2.6.5 CMOS反相器输入端噪声容限与VDD的关系;图2.6.6 CMOS反相器的输入保护电路 (a)CC4000系列的输入保护电路 (b)74HC系列的输入保护电路;图2.6.7 CMOS反相器的输入特性 (a)图2.6.6 (a)电路的输入特性 (b)图2.6.6 (b)电路的输入特性;图2.6.8 vO= VOL时CMOS反相器的工作状态;图2.6.9 CMOS反相器的低电平输出特性;图2.6.10 vO= VOH时CMOS反相器的工作状态;图2.6.11 CMOS反相器的高电平输出特性;图2.6.12 CMOS反相器传输延迟时间的定义;图2.6.13 VDD 和CL对传输延迟时间的影响;图2.6.14 CMOS反相器的交流噪声容限;图2.6.15 CMOS反相器的瞬时导通电流;图2.6.16 CMOS反相器对负载电容的充、放电电流;图2.6.17 CMOS反相器的静态漏电流 (a) vI= 0 (b) vI=VDD;图2.6.18 CMOS与非门;图2.6.19 CMOS或非门;图2.6.20 带缓冲级的CMOS与非门电路;图2.6.21 带缓冲级的CMOS或非门电路;图2.6.22 漏极开路输出的与非门CC40107;图2.6.23 CMOS传输门的电路结构和逻辑符号;图2.6.24 CMOS传输门中两个MOS管的工作状态;图2.6.25 CMOS双向模拟开关的电路结构和符号;图2.6.26 CMOS模拟开关接 负载电阻的情况;图2.6.27
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