集成电路工艺复习精编.docVIP

特征尺寸（ Critical Dimension,CD）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度的标志，代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中，特征尺寸通常指MOS管的沟道长度，也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。 集成电路制造步骤： ①Wafer preparation(硅片准备) ②Wafer fabrication (硅片制造) ③Wafer test/sort (硅片测试和拣选) ④Assembly and packaging (装配和封装) ⑤Final test(终测) 单晶硅生长：直拉法（CZ法）和区熔法（FZ法）。区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；优点是纯度高、含氧量低；缺点是硅片直径比直拉的小。 不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。例如迁移率，界面态等。MOS集成电路通常用（100）晶面或100晶向；双极集成电路通常用（111）晶面或111晶向。 硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。 氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。 氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2 →SiO2 ②湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 ③水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 硅的氧化温度：750 ℃ ～1100℃ 硅热氧化过程的分为两个阶段： 第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。 第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子不足，硅原子充足 在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷。 ①. 可动电荷： 指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。 ②. 固定电荷：指位于SiO2 – Si 界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。 ③. 界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。 ④. 陷阱电荷：由辐射产生。 （硅热氧化）掺氯氧化工艺 在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3％以下）以改善SiO2 – Si的界面特性。其优点： ①.氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累。 ②.氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污。 SiO2-Si界面的杂质分凝（Dopant Segregation）：高温过程中，杂质在两种材料中重新分布，氧化硅吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、 As）。 SiO2在集成电路中的用途 ①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长） ②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积） ③保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） ④注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂（热生长） ⑤垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长） ⑥注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长） ⑦层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积） 硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素 ①氧化温度； ②氧化时间； ③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快 ④硅片晶向：111硅单晶的氧化速率比100稍快 ⑤反应室的压力：压力越高氧化速率越快 ⑥氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快 热生长氧化层与沉积氧化层的区别 ①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。 ②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。 ③硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。 杂质在硅中的扩散机制 ①间隙式扩散；②替位式扩散。 扩散杂质的余误差函数分布特点（恒定表面源扩散属于此分布） ①杂质表面浓度由该种杂质在扩散温度下的固溶度所决定。当扩散温度不变时，表面杂质浓度维持不变； ②扩散时间越长，扩散温度越高，则扩散进入硅片内的杂质总量就越多； ③扩散时间越长，扩散温度越高，杂质扩散得越深。 扩散杂质的高斯分布特点（有限源扩散属于此分布） ①在整个扩散过程中，杂质总量保持不变； ②扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深，表面浓度越低； ③表面杂质浓度可控。 结深的定义 杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线交点的位置称为结深。 离子注入的概念： 离子注入是在高真空的复杂系统中，产生电离杂质并形成高能量的离子束，入射到硅片靶中进行掺杂的过程。 离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点： 优点：①精确地控制掺杂浓度和掺杂深度；②可以获得任意的杂质浓度分布；③杂质浓度均匀性、重复性好；④掺杂温度低；⑤沾污少；⑥无固溶度极限。 缺点：