ch3逻辑门电路探析.ppt

3 逻辑门电路;逻辑功能的实现——利用半导体器件的开关特性;1.CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路;MOS管是金属—氧化物—半导体场效应管的简称。（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）;输出特性：VGS一定的情况下，iD与VDS之间的关系。;：MOS管工作在可变电阻区，输出低电平;MOS管相当于一个由vGS控制的 无触点开关。;3.2.2 CMOS 反相器;（1）当Vi＜2V，TN截止，TP导通，输出Vo≈VDD=10V。 （2）当2V＜Vi＜5V，TN工作在饱和区，TP工作在可变电阻区。 （3）当Vi=5V，两管都工作在饱和区， Vo=（VDD/2）=5V。 （4）当5V＜Vi＜8V， TP工作在饱和区， TN工作在可变电阻区。 （5）当Vi＞8V，TP截止， TN导通，输出Vo=0V。 可见： CMOS门电路的阈值电压 Vth=VDD/2;5．工作速度;A B;或非门;例3.2.1 异或门电路;模拟信号：TP和TN的衬底分别接+5V和-5V，输入信号的范围（-5V~+5V） 数字信号：TP和TN的衬底分别接+5V和0V， 输入信号的范围（0~+5V）;工作原理：（设两管的开启电压VTN=|VTP|=VT=2V，VDD=+5V）;传输门的应用;3.3.1.CMOS逻辑门的保护和缓冲电路;（1）输入端保护电路:;（2）反相缓冲电路;1.CMOS漏极开路门;;(3) 上拉电阻对OD门动态性能的影响;;当VO=VOH;OD门的功能;2.三态(TSL)输出门电路;逻辑符号; 1）同一条线上分时传送数据，其连线方式称为“总线结构”。 ;用TG门实现CMOS三态门;1. 输入和输出的高、低电平;负载门输入高电平时的噪声容限：;;4. 功耗;（a）拉电流工作情况：;（b）灌电流工作情况：; CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;3.7.1 正负逻辑问题;3.7.1 正负逻辑问题; ;3.7.2 基本逻辑门的等效符号及其应用;或非门及其等效符号;;;;如RE、AL都要求高电平有效，EN高电平有效;3.8 逻辑门电路使用中的几个实际问题;1)驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围，包括高、低电压值（属于电压兼容性的问题）。;;灌电流;驱动电路必须能为负载电路提供足够的驱动电流;2、 CMOS门驱动TTL门;例 用一个74HC00与非门电路驱动一个74系列TTL反相器和六个74LS系列逻辑门电路。试验算此时的CMOS门电路是否过载？;总的输入电流IIL(total)=1.6mA+6?0.4mA=4mA;3. TTL门驱动CMOS门(如74HC ）;1. 用门电路直接驱动显示器件;解：LED正常发光需要几mA的电流，并且导通时的压降VF为1.6V。根据附录A查得，当VCC=5V时，VOL=0.33V，IOL(max)=4mA， 因此ID取值不能超过4mA。限流电阻的最小值为 ;2. 机电性负载接口;*;二极管门电路;;三极管门电路