第一章 半导体器件基础1.1 ;1.1 半导体的基本知识 ;本征半导体的共价键结构束缚电子;这一现象称为本征激发,也称热激;可见本征激发同时产生电子空穴对;自由电子 带负电荷 电子流;二. 杂质半导体 在本;N型半导体多余电子磷原子硅原子;在本征半导体中掺入三价杂质元素;杂质半导体的示意图++++++;内电场E?因多子浓度差?形成内;动画演示少子飘移补充耗尽层失去;2. PN结的单向导电性(1;(2) 加反向电压——电源正;PN结加正向电压时,具有较大的;3. PN结的伏安特性曲线及;根据理论分析:u 为PN结两端;4. PN结的电容效应 ;(2) 扩散电容CD 当外;1.2 半导体二极管 二极;二极管按结构分三大类:(1) ;(3) 平面型二极管 ;半导体二极管的型号国家标准对半;一 、半导体二极管的V—A特性;二. 二极管的模型及近似分析;二极管的模型DU串联电压源模型;二极管的近似分析计算IR10V;例:二极管构??的限幅电路如图所;(2)如果ui为幅度±4V的交;02.7Vuot0-4V4Vu;三. 二极管的主要参数 (1;当稳压二极管工作在反向击穿状态;稳压二极管的主要 参数 (1);1.3 半导体三极管 ;一.BJT的结构NPN型PNP;二. BJT的内部工作原理(;(1)因为发射结正偏,所以发射;(3)因为集电
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