薄膜物理与技术重点答题.docVIP

真空基础 薄膜的定义 真空如何定义（概念）？ 利用外力将一定密闭空间内的气体分子移走，使该空间内的气压小于 1 个大气压，则该空间内的气体的物理状态就被称为真空。 注意：真空，实际上指的是一种低压的、稀薄的气体状态，而不是指“没有任何物质存在”！ 真空的分类？真空区域划分？有哪些单位制？如何换算？ 真空可分为： 1 N＝105 dyne＝0.225 lbf 1 atm＝760 mmHg（torr）＝1.013×105 Pa＝1.013 bar 真空泵可分为哪两大类？简述包括的常用真空泵类型及其工作压强范围。 分析说明实用的真空抽气系统为什么往往需要多种真空组成复合抽气系统？ 从大气压力开始抽气，没有一种真空泵可以涵盖从1 atm到10-8 Pa的工作范围，真空泵往往需要多种泵组合构成复合抽气系统，实现以更高的抽气效率达到所需的高真空！ 按测量原理真空计如何分类？ 真空与薄膜材料制备有何关系？ 几乎所???的现代薄膜材料制备都需要在真空或较低的气压条件下进行，都涉及真空下气相的产生、输运和反应过程。了解真空的基本概念和知识，掌握真空的获得和测量技术基础知识是了解薄膜材料制备技术的基础！ 气体分子平均自由程概念 薄膜沉积的物理方法 什么是物理气相沉积（PVD）？PVD镀膜的三个关键过程。 PVD的概念：在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料逸出沉积物质粒子（可以是原子、分子或离子），这些粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。其技术关键在于：如何将源材料转变为气相粒子（而非CVD的化学反应）！ 在工程基于气相粒子发射方式不同而将PVD技术分为哪几类？ 简述真空蒸发镀膜。 在真空环境下，以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量，使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发，所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。 真空蒸发镀膜时的两个关键条件，简述其要求范围及原因。 1. 真空度：P ≤ 10-3 Pa（保证蒸发，粒子具分子流特征，以直线运动） 2.基片距离 (相对于蒸发源)：10~50 cm（兼顾沉积均匀性和气相粒子平均自由程） 5、饱和蒸汽压或平衡蒸汽压概念 一定的温度下,与同种物质的液态(或固态)处于平衡状态的蒸汽所产生的压强叫饱和蒸汽压,它随温度升高而增加. 蒸发速率公式 真空蒸发装置一般包括哪三个组成部分？何为最关键的部分，主要需要完成哪些功能？ 最关键部分：蒸发源 真空蒸发装置中蒸发源或蒸发加热装置类型。 分馏现象？ 当蒸发二元以上的合金化合物时，蒸发材料在气化过程中，由于各成分的饱和蒸气压不同，使得其蒸发速率也不同，得不到希望的合金或化合物的比例成分，这种现象称为分馏现象。 拉乌尔定律 溅射定义 一定温度下，固体或液体受到高能离子轰击时，其中的原子有可能通过与高能入射离子的碰撞获得足够能量而从表面逃逸，这种从物质表面发射原子的方式被称为溅射。 简述溅射过程 1.自由电子被电场加速飞向阳极，与路遇的放电气体 (通常是惰性气体 — Ar气) 碰撞，使之失去外层电子而电离，并释放出Ar+和自由电子 2.Ar+受到电场加速飞向置于阴极的靶材，撞击出靶材原子，以及二次电子，使自由电子数上升 3.电子在飞行过程中，还可能与Ar+相撞，使之恢复中性状态，但此过程中电子由激发态回到基态，需要放出能量，这部分能量以发射光子形式释放。因有大量光子释出，放电形成的等离子体出现了发光现象，这就是所谓的“辉光”放电 13、溅射与蒸发的根本区别 沉积粒子来自高能离子的轰击作用，溅射粒子的高动能特征贯穿于三个基本沉积过程！ 14、与蒸发法相比，溅射镀膜主要有哪些优点和缺点？ 优点 (与蒸发技术相比)： 1、可溅射沉积任何能做成靶材的材料，特别是高熔点材料 (如：石墨、Ti、Ta、W、Mo等)； 2、由于沉积原子能量较高，薄膜组织均匀致密，与基片的结合力较高； 3、制备合金薄膜时，成分控制容易保证； 4、利用反应溅射技术，容易实现化合物薄膜沉积； 5、薄膜的物相成分、梯度、膜厚控制精确，工艺重复性好； 6、沉积原子能量较高，还可以改善薄膜对复杂形状表面的覆盖能力，降低薄膜的表面粗糙度。 主要缺点： 1、沉积速率不高； 2、等离子体对基片存在辐射、轰击作用，不但可引起基片温升，而且可能形成内部缺陷。 15、溅射沉积装置分类及其溅射靶材类型 16、离子镀概念 真空下，通过气体放电使气体或靶材料部分离化，在离化离子轰击基片的同时，形成其离化物质或其化学反应产物在基片上的沉积。 薄膜沉积的化学方法 什么是化学气相沉积（CVD） 气态反应物在一定条件下，通过化学反应，将反应形成的固相产物沉积于基片表 面，形成固态薄膜的方法。 化学气相沉积方法分类 化学气相沉积的优缺点 主