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X射线探测器主要有3种类型:
气体电离探测器
闪烁体探测器
半导体探测器
网上有很多参考资料:
X射线技术论坛:www.xraytech.pw; ;闪烁探测器的性能由闪烁晶体和光电二极管阵列性能,以及闪烁晶体与光电二极管耦合工艺决定。
常采用的闪烁体晶体有CdWO4(钨酸镉)、BGO( Bi4 Ge3O12锗酸铋) 、CsI( 碘化铯) 等, 它们各有优缺点。;CsI( Tl) 价格稍低,发光效率高且光谱与光电二极管匹配较好, 但抗辐射能力差, 在高能X 射线照射下, 寿命很短;
BGO 闪烁晶体除价格昂贵外, 抗辐射能力太弱;
CdWO4闪烁晶体各方面性能较好, 目前普遍被高能工业CT 采用, 但CdWO4闪烁晶体余辉长,且机械加工性能不好, 不宜加工成细长的探测器晶体, 价格也昂贵
;CdZnTe(CZT)晶体是一种性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料。CZT晶体是由于CdTe晶体的电阻率较低,所制成的探测器漏电流较大,能量分辨率较低,就??CdTe中掺入Zn使其禁带宽度增加,而发展成了的一种新材料。随Zn含量的不同,禁带宽度从1.4eV(近红外)至2.26eV(绿光)连续变化,所制成的探测器漏电流小,在室温下对X射线,γ射线能量分辨率好,能量探测范围在10KeV-6MeV,且无极化现象。
;;2.锂漂移半导体探测器(PIN结); 为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声,同时为降低探测器的表面漏电流,锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内,工作于液氮温度(77K)。;1.电荷的储存;以电荷为信号;Less than 0.2um;谢谢!
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