7半导体存储器和可编程逻辑器件研究.pptVIP

第七章 半导体存储器和可编程逻辑器件;1. 概述 能存储大量二值信息的器件 一般结构形式;分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 ;2. ROM 掩模ROM 结构 ; 工作原理 ;概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 字线和位线 存储器的容量：“字数 x 位数”;掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性; PROM（可编程ROM）; 写入时，要使用编程器。; EPROM（可擦除的可编程ROM）;电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ;快闪存储器（Flash Memory） 类似SIMOS管; 用ROM 存储器实现组合逻辑函数;举例：用１６×４位的ROM 设计一个将两个２位二进制数相乘的乘法器电路。;点 阵 图;3. RAM（随机存储器）;举例：一个２５６×１位RAM;SRAM 的静态存储单元（基于SR锁存器）;DRAM （动态随机存储器） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 ; RAM存储器容量的扩展;字扩展方式;4. PLD（可编程逻辑器件）; 按照器件内部的集成度分为：简单PLD和复杂PLD 按照器件内部的结构特点分为：阵列型PLD和现场可编程门阵列FPGA; PLD 的基本电路结构和电路表示方法;PLD 的逻辑符号表示方法; 与门和或门的表示方法;（a）与门 （b）输出恒等于0的与门 （c）或门;F１ ＝ A ′B ＋ AB ′; PAL（可编程阵列逻辑 Programmable Array Logic）;PAL的基本电路结构;编程后：;PAL的多种输出结构;（一）专用输出结构;（二）可编程输入/输出（可编程I/O）结构;（三）寄存器输出结构;（四）带有异或门的输出结构（1）;（四）异或输出结构（2）;（五）运算选通反馈结构; GAL（通用阵列逻辑(General Array Logic）;GAL的电路结构（以GAL16V8为例）;9.4.2 GAL的输出逻辑宏单元(OLMC);Q端信号 本级输出端 邻级输出 地电平;OLMC的5种工作模式 结构控制字中的SYN、AC0、AC1(n)、XOR(n)的状态指定了OLMC的工作模式。;专用输入模式;5 CPLD和FPGA（复杂可编程逻辑器件Complex Programmable Logic Device和现场可编程门阵列Field Programmable Gate Array ）;基于乘积项的CPLD 结构;CPLD 的逻辑实现原理; FPGA 的基本结构;基于查找表的FPGA 的结构;FPGA内部的互连资源;开关矩阵和可编程连接点;查找表的原理;　CPLD和FPGA 的开发