2013电路第5章B研究.ppt

5.4.1结构与符号及工作原理5.4.2特性曲线5.4.3参数5.4.4晶体管小信号交流等效电路BipolarJunctionTransistor(BJT)5.4双极型晶体管注：Bipolar指两种极性的载流子（电子，空穴）都参与导电晶体三极管图片　　双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，统称为晶体管。1结构与符号(StructuresandCircuitSymbol)两种:NPNPNP一、结构e(Emitter)：发射极b(Base）：基极c(Collector)：集电极发射结(Je)集电结(Jc)基区发射区集电区特点:b区薄e区掺杂多c区面积大e,b,cJe,Jc材料：硅，锗，砷化镓等特点：发射区相对基区重掺杂；基区很薄nX（0.1~1um）集电结面积大于发射结面积。二、符号工作原理(TransistorOperation)一、放大条件二、内部载流子传输过程三、电流分配关系四、放大作用外部条件？一、放大条件内部条件：三区结构与掺杂Je正偏，Jc反偏。电位关系：NPN：VC＞VB＞VEPNP：VC＜VB＜VE二、内部载流子传输过程ICBO：集电结反向饱和电流IEPIEN,可忽略IE=IEN+IEP,IEN=IBN+ICNIC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP—ICBOα，β：基区扩散与复合的关系三、电流分配关系(CurrentRelationship)穿透电流定义：共基极直流电流放大系数定义：共射极直流电流放大系数恒小于1，一般为0.95~0.99一般为20到200端电压和端电流的表示电路中晶体管上各端电压与电流都由两部分组成：直流交流瞬时的电压或电流应该是直流加交流：根据输入输出回路的公共端不同，可组成三种组态发射极即能做输入端又能做输出端基极只能做输入端不能做输出端集电极只能做输出端不能做输入端无论哪种接法为保证正向受控作用须使发射结正偏、集电结反偏且满足IE=IB+IC5.4.2特性曲线(Characteristics)输入特性曲线—iB=f(uBE)uCE=const输出特性曲线—iC=f(uCE)iB=const(1)输入特性曲线iB=f(uBE)uCE=const(2)输出特性曲线iC=f(uCE)iB=const放大区：发射结正偏，集电结反偏例1：测量三极管三个电极对地电位如图试判断三极管的工作状态。三极管的开关特性截止状态饱和状态iB≥IBSui=UIL0.5Vuo=+VCCui=UIHuo=0.3V饱和区截止区放大区②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：①ui=1V时，基极电流：因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA，输出电压：三极管临界饱和时的基极电流：uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5Vuo=VCC=5V③ui＝3V时，基极电流：而因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压：uo＝uCES＝0.3V例：=505.4.3主要参数 分为三大类:(1)直流参数①电流放大系数 1.共射~直流参数交流参数极限参数2.共基~ 1.ICBO发射极开路时，集电极到基极的反向饱和电流。2.ICEO（穿透电流）②极间反向饱和电流（温度稳定性）温度变化时对ICBO影响很大，所以选管时应选ICBO小且受温度影响小的管子。(2)交流参数①交流电流放大系数1.共射~=IC/IBuCE=const2.共基~α=IC/IEuCB=const②特征频率fT当下降到1时所对应的频率(3)极限参数①ICMIC值大到一定程度时会下降。ICM指的是引起β值明显下降(2/3)时的最大集电极电流。②PCM超过此值会使管子性能变坏或烧毁。PCM=iC×uCE1.U(BR)CBO——E极开路时的集电结击穿电压。2.U(BR)EBO——类上3.U(BR)CEO——关系：U(BR)CBO＞U(BR)CEO＞U(BR)EBO③反向击穿电压（U(BR)XXO）5.4.4晶体三极管小信号交流等效电路1．rbe的估算指输入电流ib受输入电压ube的控制，即输入特性曲线上Q点处切线斜率的倒数若考虑晶体管的基极体电阻3．rce的估算双极型晶体管的参数5.5场效应管双极型和场效应型三极管的比较双极型三极管场效应管(单极型三极管)结构NPN型结型N沟道、P沟道PNP型绝缘栅增强型N沟道、P沟道绝缘栅耗尽型N沟道、P沟道C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子多子扩散少子漂移多子漂移输入量电流输入电压输入控制流控电流源CCCS(β)压控电流源VCCS(gm)双极型三极管场效应三极管噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小，可有零温度系数输