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双极晶体管的单管结构及工作原理 双极器件：两种载流子（电子和空穴）同时参与导电 正向工作区 发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集： 接近于1） 具有电流放大作用： 1. 发射结正偏，向基区注入电子，集电结也正偏，也向基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电极仍存在电子扩散电流，但明显下降。 2.不再存在象正向工作区一样的电流放大作用，即 不再成立。 3. 对应饱和条件的VCE值，称为饱和电压VCES，其值约为0.3V，深饱和时VCES达0.1～0.2V。 当VBC 0 ， VBE 0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约0.02）。 常用集成电阻器 基区扩散电阻 发射区扩散电阻、埋层扩散电阻 基区沟道电阻、外延层电阻 离子注入电阻 多晶硅电阻、MOS电阻 MOS晶体管的电流-电压特性的经典描述： 萨氏方程 式中的λ是沟道长度调制因子，表征了沟道长度调制的程度 自举反相器 [例题]设计一个倒相器，要求tr tf 25ns，VTN 1V，VTP －1V，VDD 5V，栅氧化层厚度为50nm， 负载电容CL 2pF，试计算NMOS管和PMOS管的宽长比 电子迁移率取μn 600cm2/V·s 。 解 由所给参