第5章金属和半导体的接触2011研究.ppt

第五章 金属和半导体的接触;金属－半导体接触;金属－半导体接触;第五章 金属和半导体的接触;5.1.1 金属和半导体的功函数;金属的功函数:真空能级E0与金属费米能级 EFm能量之差Wm= E0 – EFm;几种常见元素的功函数（eV）;2 半导体的功函数;半导体的功函数与杂质浓度的关系;半导体的功函数与杂质浓度的关系;5.1.2 有功函数差的金－半接触 ;1、金属与n型半导体的接触 ;1、金属与n型半导体的接触;接触电势差与阻挡层;2) WM＜WS的情况;2、金属与p型半导体的接触;接触电势差 qVms=Wm – Ws 表面势Vs: 半导体表面与体内电势之差;3、肖特基(势垒)接触;既然q?m=Wm－?，那么: 同种半导体与两种不同金属相接触时，这两 种金属的功函数差就应该是电子在两种接触中的qφm之差; 同种金属与两种不同半导体相接触时，这两种半导体的功函数差就应该是电子在两种接触中的qφm之差。 ;1) 金属与半导体的接触势垒;表面态;qVD;b)、表面态改变了半导体的功函数;3) 表面态对接触势垒的影响;b)表面态密度很高时-势垒钉扎;因此,如果用表面态密度高的n型半导体与金属相接触，即便Wm＞Ws,由于EFS高于EFm，同样会有电子流向金属，但这些电子并不是来自半导体体内，而是由表面态提供。由于表面态密度很高，能放出足