第16讲半导体存储器和可编程逻辑器件技巧.ppt

第16讲 半导体存储器和可编程逻辑器件;16.1 概述;（二）微处理器;半导体存储器是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分之一。 它用于存放二进制信息，每一片存储芯片包含大量的存储单元，每一个存储单元由唯一的地址代码加以区分。;（四）专用集成电路（ASIC） （Application Specific Integrated Circuit）;16.2 半导体存储器;（一） 半导体存储器的分类;（2）按制造工艺分类;（二） 半导体存储器的主要技术指标; ROM是存储固定信息的存储器。ROM中的信息是由专用装置预先写入的，在正常工作过程中只能读出不能写入。 特点：ROM属于非易失性存储器，即信息一经写入，即便掉电，写入的信息也不会丢失。 用途：用来存放不需要经常修改的程序或数据，如计算机系统中的CMOS程序、系统监控程序、显示器字符发生器中的点阵代码等。; （2）一次性可编程ROM（Programmable Read Only Memory即PROM）出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。; （5）快闪存储器（Flash Memory）。是新一代电信号擦除的可编程ROM。它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除快捷的特性，而且集成度可以做得很高。; ⑴ 存储矩阵是存放信息的主体，它由许多存储单元排列组成。每个存储单元存放一位二值代码(0 或 1)，若干个存储单元组成一个“字”(也称一个信息单元)。;; 每当给定一组输入地址时，译码器只有一条输出字线Wi被选中，该字线可以在存储矩阵中找到一个相应的“字”，并将字中的m位信息Dm-1~D0送至输出缓冲器。读出Dm-1~D0的每条数据输出线Di也称为“位线”，每个字中信息的位数称为“字长”。 ; ⑶输出缓冲器是ROM的数据读出电路，通常用三态门构成，它不仅可以实现对输出数据的三态控制，以便与系统总线联接， 还可以提高存储器的带负载能力。 ;2. 存储容量及其表示;3. 存储单元结构;(2) PROM 的存储单元结构 ;(3) 可擦除 PROM 的存储单元结构 ;(二)地址译码器;　　一个 n 位地址码的 ROM 有 2n 个字，对应 2n 根字线，选中字线 Wi 就选中了该字的所有位。;地址码分成行地址码和列地址码两组;地 址 ;图中，W0~W3四条字线分别选择存储矩阵中的四个字，每个字存放四位信息。制作芯片时，若在某个字中的某一位存入“1”，则在该字的字线Wi与位线Di之间接入二极管，反之，就不接二极管。;地 址 ;7. ROM应用举例;例1：函数运算表电路。 试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的 取值范围为0～15的正整数。;（3）分析可知，电路可用如图所示的ROM来实现， 该ROM需用4根地址线，8根数据线，容量至少为 位。;例2. ROM 在波形发生器中的应用;8.集成 EPROM 简介 ;;工作方式;9. 电可擦除的可编程E2PROM 1．芯片特性;;2．工作方式;16.2.3 随机存取存储器(RAM);SRAM：不断电情况下，数据一经写入，可长期保存，触发器结构。 DRAM：不断电情况下，数据写入要定时刷新，否则数据可能丢失。（场效应管加电容）;2. RAM的结构;;Xi; 图中是六管CMOS静态存储单元。CMOS反相器T1，T2，T3，T4交叉反馈构成基本RS锁存器，用于存储一位二进制信息。 ;（2）DRAM基本存储单元;电路结构（以单管动态存储单元为例）;特点： 1）当不读信息时，电荷在电容CS上的保 存时间约为数毫秒到数百毫秒； ;结论：1）需加刷新电路；;4. RAM的芯片简介 6116为2K×8位静态CMOSRAM 芯片引脚排列图： A0～A10是地址码输入端， D0～D7是数据输出端， 是选片端， 是输出使能端， 是写入控制端。;D7;2、字数的扩展：;CS;A11;16.3 可编程逻辑器件;（1）低密度PLD（SPLD） ;可擦除的可编程逻辑器件 （Erasable Programmable Logic Array，简称EPLD） 复杂的可编程逻辑器件 （Complex Programmable Logic Array，简称CPLD） 现场可编程门阵列 （Field Programmable Gate Array，简称FPGA）;