电子显微技术论述.pptVIP

第6章 电子显微技术 TEM的主要发展方向： 1 高电压：增加电子穿透试样的能力，可观察较厚、较具代表性的试样，现场观察 in-situ observalion 辐射损伤; 减少波长散布像差 chromatic aberration ; 增加分辨率等，目前已有数部 2-3 MeV 的TEM在使用中。图为200 keV TEM之外形图。 2 高分辨率：最佳解像能力为点与点间0.18 nm、线与线间0.14nm。美国於1983年成立国家电子显微镜中心，其中1000 keV之原子分辨电子显微镜 atomic resolution electron microscope，AREM 其点与点间之分辨率达0. 17nm，可直接观察晶体中的原子。 3 多功能分析装置：如附加电子能量分析仪 electron analyzer，EA 可监定微区域的化学组成。 4 场发射电子光源: 具高亮度及契合性，电子束可小至1 nm。除适用於微区域成份分析外，更有潜力发展三度空间全像术 holography 。 电子与试样相互作用可以得到各种信息 感应电动势 荧光 特征X射线 二次电子 被散射电子 俄歇电子 吸收电子 透射电子 电子显微分析方法的种类 透射电子显微镜 TEM 可简称透射电镜 扫描电子显微镜 SEM 可简称扫描电镜 电子探针X射线显微分析仪简称电子探针 EPA或