半导体制程概论chapter6萧宏.ppt

Chapter 6 微影技術;目標;簡介;微影技術的應用;IC 製造;IC 製造的製程流程圖;微影技術的要項;光阻;負光阻 曝光後不可溶解 顯影之後，未曝光的部分被顯影劑溶解. 較便宜;光罩/倍縮光罩;光阻化學;光阻的基本成分;聚合體;溶劑;感光劑;添加劑;負光阻;負光阻;負光阻;光阻的比較;正光阻;正光阻;問題;化學增強式光阻;化學增強式光阻;化學增強式光阻;光阻的要項;光阻的物理性質;光阻效能的因素;解析度的性能;光阻特性概要;微影製程;微影製程的基本步驟;基本步驟, 舊技術 ;基本步驟, 先進技術 ;;晶圓清洗;預烤與底漆層蒸氣塗佈;光阻塗佈;軟烘烤;對準和曝光;對準和曝光;曝光後烘烤;顯影;硬烘烤;圖案檢視;清洗晶圓;較早期的方法 高壓氮氣吹乾 旋轉刷洗 高壓蒸氣吹乾;旋乾;脫水烘烤 移除晶圓表面的濕氣 提昇光阻和晶圓表面的附著力 通常的溫度是100 °C 和底層漆塗佈整合;提昇光阻在晶圓表面的附著力 廣泛使用: 六甲基二戊烷 (HMDS) HMDS 蒸氣塗佈在光阻自旋塗佈之前 在預烤製程中以臨場方式沉積在晶圓表面 在光阻塗佈前，以冷卻平板降溫;底漆層蒸氣塗佈;晶圓冷卻;自旋塗佈;黏滯性;光阻厚度與自旋轉速在不同的黏滯係數下的關係;動態自旋轉速;光阻自旋塗佈機;自旋塗佈機;光阻自旋塗佈機;光阻的應用;光阻回收;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;光阻自旋塗佈;邊緣球狀物移除法(EBR);化學式邊緣球狀物移除法;化學式邊緣球狀物移除法;準備軟烘烤;光學式邊緣球狀物移除法;光學式邊緣球狀物移除法—邊緣曝光;轉軸;軟烘烤;軟烘烤;烘烤系統;加熱平板;晶圓冷卻;對準和曝光;對準和曝光的工具;接觸式印像機;接觸式印像機;接觸式印像法;鄰接式印像機;鄰接式印像機;鄰接式印像法;投影式印像機;光源;光源;步進機;問與答;步進式曝光系統;步進式對準及曝光系統的示意圖;曝光光源;水銀燈的光譜;微影技術的光源;曝光控制;問題;答;駐波效應;駐波強度;駐波在光阻上的效應;曝光後的烘烤(PEB);曝光後的烘烤(PEB);曝光後的烘烤(PEB);曝光後烘烤可減少駐波效應;晶圓冷卻;顯影;;顯影劑;顯影;不同顯影步驟所造成的光阻輪廓;顯影溶液;;光學式的邊緣球狀物移除—曝光;光學式的邊緣球狀物移除—曝光;應用顯影溶液;應用顯影溶液;顯影液自旋;超純水洗滌;旋乾;準備好到下一個步驟;泥漿式顯影;硬烘烤;藉熱流填滿光阻的針孔;硬烘烤;硬烘烤;;問與答;圖案檢視;問與答;電子式顯微鏡;圖案檢視;對準失誤的例子;關鍵尺寸(CD);圖案檢視;晶圓軌道機—步進機整合系統;晶圓進入;預烤和底漆層蒸氣塗佈;光阻自旋塗佈;軟烘烤;對準和曝光;曝光後烘烤(PEB);顯影;硬烘烤;晶圓輸出;晶圓軌道機—步進機整合系統示意圖;堆疊式軌道系統;堆疊式軌道系統;未來的趨勢;光學的微影技術系統;繞射;沒有透鏡的光繞射;減少光的繞射;;數值孔徑(NA);解析度;解析度(續);練習 1, K1 = 0.6;改善解析度;電磁波的波長和頻率;景深;光學系統的景深示意圖;;景深;將光線聚焦在光阻的厚度中點可使解析度最佳化;;I-光線 和深紫外線;I-光線 和深紫外線;下一世代的微影技術(NGL);未來的趨勢;相位移光罩;相位移光罩;一般光罩與相位移光罩的微影製程技術;未來的趨勢;極紫外線;極紫外線微影系統;X光 微影系統;X-光 印相;光學式光罩和X光光罩;電子束;電子數微影系統;有限角度散射投影式電子微影技術(SCALPEL);離子束微影系統;安全性;化學安全;化學安全;機械安全;電力安全;??射安全;概要