2sc1815主要参数.docVIP

型号c1815GR主要参数： Symbol符号 Parameter 参数 Value数值 Units单位 VCBO Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 射极-基极电压 5 V IC Collector Current 集电极电流 150 mA IB Base Current 基极电流 50 mA PC Collector Power Dissipation 耗散功率 400 mW ?TJ? Junction Temperature 结温 125 ?℃ TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -55 ~ 150 ℃ 电参数： Symbol?符号 Parameter 参数 Test Condition 测试条件 Min. 最小 Typ. 平均 Max. 最大 Units 单位 ICBO Collector Cut-off Current 集电极截止电流 VCB 60V, IE 0 - - 0.1 μA IEBO Emitter Cut-off Current 射极截止电流 VEB 5V, IC 0 - - 0.1 μA hFE1 hFE2 DC Current Gain直流电流增益 VCE 6V, IC 2mA VCE 6V, IC 150mA 70 25 ?- 700 ?- ?VCE sat Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压 IC 100mA, IB 10mA - 0.1 0.25 V VBE sat Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压 IC 100mA, IB 10mA - - 1.0 V fT Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 VCE 10V, IC 1mA 80 - - MHz Cob Output Capacitance输出电容 VCB 10V, IE 0, f 1MHz - 2.0 3.0 pF NF Noise Figure 噪声系数 VCE 6V, IC 0.1mA RS 10kΩ, f 1Hz - ?1.0 3.0 db 后缀符号 O Y GR L 放大倍数 70-140 120-240 200-400 350-700 1815三极管参数 集电极-基极击穿电压 VCBO ：60V集电极-发射极击穿电压 VCEO ：50V发射极-基极击穿电压 VEBO ：5V集电极电流 IC ：150mA基极电流 IB ：50mA耗散功率 PC ：400mW集电极-发射极饱和压降 VCE ：0.25V特征频率 fr ：80MHz1815三极管参数 集电极-基极击穿电压 VCBO ：60V集电极-发射极击穿电压 VCEO ：50V发射极-基极击穿电压 VEBO ：5V集电极电流 IC ：150mA基极电流 IB ：50mA耗散功率 PC ：400mW集电极-发射极饱和压降 VCE ：0.25V C9013 NPN三极管 集电极漏电流ICBO VCB 30V,IE 0 100 nA 发射极漏电流IEBO VBE 5V,IC 0 100 nA 集电极、发射极击穿电压BVCEO IC 1mA,IB 0 25 V 发射极、基极击穿电压BVEBO IE 100μA,IC 0 5 V 集电极、基极击穿电压BVCBO IC 100μA,IE 0 30 V 集电极、发射极饱和压降VCE sat IC 500mA,IB 50mA 0.6 V 基极、发射极饱和压降VBE sat IC 500mA,IB 50mA 1.2 V 基极、发射极压降VBE VCE 1V,IC 10mA 1.0 V 直流电流增益HFE1 VCE 1V,IC 50mA 96 300 HFE2 VCE 1V,IC 500mA 40 1.2 参数符号标称值单位 集电极、基极击穿电压VCBO 30 V 集电极、发射极击穿电压VCEO 25 V 发射极、基极击穿电压VEBO 5 V 集电极电流IC 500 mA 集电极功率PC 625 mW 结温TJ 150 贮存温TSTG -55-150 6发射 电参数（Ta 25） （按HEF1分类）标准分档： F：96-135 G：112-166 H:144-202 I:200-300 TO