ESD失效FA及案例介绍重点.ppt

;(1)一般的失效机理;(1)一般的失效机理;;(1)一般的失效机理;(1)一般的失效机理;典型的失效形式;1、D-S silicon filament defect;在HBM ESD冲击下损伤在FOD的末端，特征是热损伤－细丝状损伤，位置drain和gate互连末端的contact ，并热扩散到source一边，这种热损伤很普遍，D-S silicon filament defect. 在MM ESD冲击下，有类似的D-S silicon filament defect.此外器件的两端有点状烧损和横跨drain区域的丝状烧损，这些是MM典型特征，MM有环振特点（持续30ns），所以每个振荡峰值点就会在器件不同部位上留下一个细丝 在CDM ESD冲击下，有类似的D-S silicon filament defect，但较HBM少，特点是振荡较少;上述的FA分析表明： 器件末端的layout不均匀，导致电流的不均匀性，在前的drain扩散区周围热过多。两种改进办法：;1、D-S silicon filament defect;1、D-S silicon filament defect;1、D-S silicon filament defect;反向CDM是Si filament.因为是反偏二极管，使用SEM 可以清晰看出是Al-Si熔化穿通形成尖披装ESD孔。;2、gate oxide films breakdown;2、gate oxide films breakdown;2、gate oxide films breakdown;3、ESD damages in metal interconnect;3、ESD damages in metal interconnect;3、ESD damages in metal interconnect;4、latent ESD failure;(2)失效分析的案例;使用EMMI分析：0.5um silicided LDD CMOS，防护器件GGNMOS,使用了silicide blocking和LDD blocking。对比：使用LDD的非均匀触发（D’），没有LDD的均匀触发(D);使用AFM和光学显微镜分析：;AFM也证实这点;AFM使用中有用的仪器（很便宜，国产只要2万元，样品制作也很简单，不需要真空）。 使用AFM分析CDM引起的潜在损伤，细微的孔洞（0.19*0.14um）在氧化物墙上。;STI CMOS工艺DRAM在HBM失效，使用P+/n-well二极管防护，在STI侧墙表面一个缺陷;(3)各种测试的校准和比对性;汽车电子IC，1.2CMOS工艺，NMOS 防护，使用相同的HBM ESD，不同的仪器： NMOS 防护器件的多晶硅挤出 IC内部的栅氧击穿 使用MM ESD：NMOS 防护器件的金属线熔化 使用CDM ESD：IC内部的PMOS 多晶硅filament ;TLP和HBM 也会产生不同的失效机理 1.3A HBM：drain区多晶硅filament和Si熔化 1.5A TLP：D-S filament;(4)模型和仿真