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LED芯片制作流程 ;报告内容;LED芯片结构;LED 制造过程;LED制程工艺;外延片制作
衬底
外延;可用LED衬底;GaAs衬底;蓝宝石Al2O3衬底;SiC衬底;Si衬底;Si衬底制备流程;外延生长;
P、N极的分离表现为元素掺杂度的不同;外延生长方法;MOCVD;双气流MOCVD生长GaN装置;MOCVD;外延片;绿光外延片;管芯制作
蒸发
光刻
划片裂片
分拣;
;;外延片;甩胶：将少许光刻胶滴在外延片上，用匀胶台在高速旋转
后形成均匀的胶膜。
前烘：使光刻胶的溶剂挥发，用于改善光刻胶与样品表面的
粘附性。
曝光：用紫外光通过光刻板曝光，曝光的区域发生化学变化。;曝光原理图;手动曝光机;显影后的图形;掩膜板;显影后的图形;蒸发原理图;
白膜：宽度为16cm,粘性随温度的升.
高增加;
;
激光打在蓝宝石衬底上，所用激光为紫外光，波长为355nm。
; 为了更好的把圆片裂开，需要让激光打在管芯轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦在片子上表面，激光的划痕深度尽量在25-30um。; 蓝膜：宽度22cm
倒膜时衬底朝上，有电极的一面朝下。;裂片前我们在片子上贴一层玻璃纸，防止裂片时刀对管芯的破坏。; 把裂片后直径为两英寸的片子扩成三英寸，便于后序的分拣工作
;测试分拣;以上就是LED芯片制作的一般过程，不同厂家的芯片在制程上可能有一些差别;Thanks!
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