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大纲（1）;大纲 （2）;大纲 （2）;W. Shockley;不足之处: 可靠性低、噪声大、放大率低等缺点;1948年 W. Shockley 提出结型晶体管概念;Ti 公司的Kilby 12个器件，Ge 晶体;(Fairchild Semi.);J. Kilby－TI
2000诺贝尔物理奖;简短回顾：一项基于科学的伟大发明; SSI?(小型集成电路)，晶体管数?10~100，门数10? ??MSI?(中型集成电路)，晶体管数?100~1,000，10门数100 ??LSI?(大规模集成电路)，晶体管数?1,000~100,000，门数100 ??VLSI?(超大规模集成电路)，晶体管数?100,000~?1,000,000
ULSI (特大规模集成电路) ，晶体管数1,000,000
GSI (极大规模集成电路) ，晶体管数109
SoC－－system-on-a-chip/SIP－－system in packaging;摩尔定律（Moore’s Law);Explosive Growth of Computing Power;2003
Itanium 2? ;No complete technological solution available !!!;ITRS— International Technology Roadmap for Semiconductors
/ ?预言硅主导的IC技术蓝图;器件几何尺寸：Lg，Wg，tox，xj →×1/k
衬底掺杂浓度N →×k
电压Vdd →×1/k
? 器件速度 →×k
芯片密度 →×k2;NEC;基本器件;CMOS;;单晶材料：~?450mm/18”
;生长结晶体管;合金结晶体管;双扩散台面（MESA）晶体管;平面工艺发明人：Jean Hoerni －－ Fairchild;1955年，成就了“本世纪最伟大发明”的“晶体管之父”的肖克利（W.Shockley）博士，离开贝尔实验室返回故乡圣克拉拉，创建“肖克利半导体实验室”。;第二年，八位年轻的科学家从美国东部陆续到达硅谷，加盟肖克利实验室。他们是：
诺依斯（N. Noyce）、
摩尔（R.Moore）、
布兰克（J.Blank）、
克莱尔（E.Kliner）、
赫尔尼（J.Hoerni）、
拉斯特（J.Last）、
罗伯茨（S.Boberts）
格里尼克（V.Grinich）。;扩散、掩模、照相、光刻……，整个过程叫做平面处理技术，它标志着硅晶体管批量生产的一大飞跃，也仿佛为“仙童”们打开了一扇奇妙的大门，使他们看到了一个无底的深渊：用这种方法既然能做一个晶体管，为什么不能做它几十个、几百个，乃至成千上万呢？1959??1月23日，诺依斯在日记里详细地记录了这一闪光的设想。;扩散
光刻;平面工艺基本光刻步骤;应用平面工艺可以实现多个器件的集成;Actual cross-section of a modern microprocessor chip from IBM;本节课主要内容
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