8-1物理气相沉积分析.pptxVIP

第八章 气相沉积技术;气相沉积技术: 发展迅速，应用广泛 →→表面成膜技术;超硬薄膜性能对比;since 1970s→→ 薄膜技术和薄膜材料→→发展突飞猛进 →→成果累累 当代真空技术和材料科学中最活跃的研究领域;可沉积的物质： 金属膜、合金膜，化合物、非金属、半导体、 陶瓷、塑料膜等。 沉积薄膜物质无限制→→基体无限制 ;application 1.大量用于电子器件和大规模集成电路制作 2.制取磁性膜及磁记录介质、绝缘膜、电介质膜、 压电膜、光学膜、光导膜、超导膜、传感器膜和 耐磨、耐蚀、自润滑膜、装饰膜以及各种特殊需 要的功能膜等 在促进电子电路小型化、功能高度集成化方面发 挥着关键的作用。;薄膜技术： 1.薄膜材料与制备技术 2.薄膜沉积过程监测控制技术 3.薄膜检测技术与薄膜应用技术 ??? 薄膜产业→→门类齐全。; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;8—2 物理气相沉积（PVD） （Physical Vapor Deposition，简称PVD法）， 是利用热蒸发、辉光放电或弧光放电等物理过程， 在基材表面沉积所需涂层的技术。 包括:;PVD 设备 ;与其他镀膜或表面处理方法相比，物理气相沉积 具有以下特点： （1）镀层材料广泛，可镀各种金属、合金、氧化 物、氮化物、碳化物等化合物镀层，也能镀制金属、 化合物的多层或复合层； （2）镀层附着力强；工艺温度低，工件一般无受热 变形或材料变质等问题，如用离子镀得到TiN等硬质 镀层，其工件温度可保持在550℃以下，这比化学 气相沉积法制备同样的镀层所需的1000℃要低得 多； 镀层纯度高、组织致密；工艺过程主要由电参数 控制，易于控制、调节；对环境无污染。;虽然存在设备较复杂、一次投资较大等缺陷， 但由于以上特点， 物理气相沉积技术具有广阔的发展前景。;一、物理气相沉积的基本过程 （1）气相物质的产生 一类方法是使镀料加热蒸发，称为蒸发镀膜；另 一类是用具有一定能量的离子轰击靶材（镀料）， 从靶材上击出镀料原子，称为溅射镀膜。 （2）气相物质的输送 气相物质的输送要求在真空中进行，这主要是为 了避免气体碰撞妨碍气相镀料到达基片。 （3）气相物质的沉积 气相物质在基片上沉积是一个凝聚过程。 根据凝聚条件的不同，可以形成非晶态膜、 多晶膜或单晶膜。;蒸镀和溅射是物理气相沉积的两类基本镀膜技术。 以此为基础，又衍生出反应镀和离子镀。其中反 应镀在工艺和设备上变化不大，可以认为是蒸镀 和溅射的一种应用；而离子镀在技术上变化较大， 所以通常将其与蒸镀和溅射并列为另一类镀膜技术。;反应镀 镀料原子在沉积时，可与其它活性气体 分子发生化学反应而形成化合物膜，称为反应镀。 离子镀 在镀料原子凝聚成膜的过程中，还可以同时用 具有一定能量的离子轰击膜层，目的是改变膜 层的结构和性能，这种镀膜技术称为离子镀。;二、蒸发镀膜 蒸发镀是PVD方法中最早用于工业生产的一种， 该方法工艺成熟，设备较完善，低熔点金属蒸发 效果高，可用于制备介质膜、电阻、电容等，也 可以在塑料薄膜和纸张上连续蒸镀铝膜。 定义：在真空条件下，用加热蒸发的方法使镀 料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法称为 蒸发镀膜，简称蒸镀。 ;一、蒸发原理 在高真空中用加热蒸发的方法使镀料转化为 气相，然后凝聚在基体表面的方法称蒸发镀膜 （简称蒸镀）。 蒸发镀膜过程是由镀材物质蒸发、蒸发材料粒子的 迁移和蒸发材料粒子在基板表面沉积三个过程组成。 ;蒸发镀膜是物理气相沉积的一种，与溅射镀膜和离 子镀膜相比有如下优缺点： 设备简单可靠、工艺容易掌握、可进行大规模生产， 镀膜的形成机理比较简单，多数物质均可采用真空 蒸发镀膜； 但镀层与基片的结合力差，高熔点物质和低蒸气 压物质的镀膜很难制作，如铂、铝等金属，蒸发 物质所用坩埚材料也会蒸发，混入镀膜之中成为 杂质。;;高频感应加热 蒸发源 ; 三、溅射镀膜 在真空室中，利用荷能粒子轰击材料表面，使 其原子获得足够的能量而溅出进入气相，然后在 工件表面沉积的过程。;（1）直流二极溅射 二极溅射是最早采用的一种溅射方法。 以镀膜材料为阴极，而被镀膜材料为阳极。阴极 上接1～3kV的直流负高压，阳极通常接地。工作时 先抽真空，再通氩气，使真空室内达到溅射气压。;靶材;这种装置的最大优点是结构简单，控制方便。 缺点有： 因工作压力较高, 膜层有沾污；沉积速率低， 不能镀10μm以上的膜厚；由于大量二次电子 直接轰击基片使基片温升过高。;（2）反应溅射 在阴极溅射中，真空槽中需要充入气体作为媒 介，使辉光放电得以启动和维持。 最常用的气体是氩气。如果在通入的气体中掺入 易与靶材发生反应的