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§9-4 晶粒生长与二次再结晶;2、晶粒长大的几何情况:
? 晶界上有界面能作用,晶粒形成一个与肥皂泡沫相似的三维阵列;
? 边界表面能相同,界面夹角呈120度夹角,晶粒呈正六边形;实际表面能不同,晶界有一定曲率,表面张力使晶界向曲率中心移动。
? 晶界上杂质、气泡如果不与主晶相形成液相,则阻碍晶界移动。 ;晶粒长大定律:;3、晶界移动
(1)移动的七种方式;(A) Vb=0 (B) Vb = Vp (C) Vb Vp_;后期:当Vp=Vb时,
A:要严格控制温度。;4、讨论:坯体理论密度与实际密度存在差异的原因?
晶粒长大是否无止境?;讨论:
a、;二、二次再结晶;晶粒异常长大的根源:;§4-4 单相固溶体晶体的长大 ; 将液、固相线简化为直线,在任意温度下处于平衡的液固两相的溶质含量之比K0为常数:
Cs /CL=K0
K0称为平衡分配系数, Cs 、CL分别为固、液相的平衡成分。;二、固相中无扩散,液相中溶质完全混合的凝固;由于凝固前后溶质的质量平衡;设固相体积分量为fs,液相体积分量为fL,则 fs+ fL=1。;三、固相中无扩散,液相中只有扩散、无对流的凝固;此稳定生长阶段界面处液固两相的成分不变。;可得:;四、固相中无扩散,液相中界面附近只有扩散、
其余部分有对流的凝固;根据;在液相完全不混合的情况下,x实际为无穷大,所以 Ke=1。;五、成分过冷; 成分过冷的形成减小了界面处的过冷度,相对增大了离界面较远处液相的过冷度。这对固溶体的晶体长大形态影响非常大。; 液相中实际温度TD的分布由温度梯度G = dT/dx决定,与界面距离x的关系为;即;G ——温度梯度,
R ——界面推进速度,
m ——相图液相线的斜率,
C0——合金平均成分,
D ——溶质原子在液相中的扩散系数,
K0——溶质在液固两相中的平衡分配系数。;六、单相固溶体晶体的生长方式;枝晶状生长
III区:具有较大的成分过冷。液相有很宽的范围处于过冷状态,类似负温度梯度条件,晶体以树枝状方式长大。; 可见,影响固溶体晶体生长方式的关键因素是成分过冷程度。而影响成分过冷程度的因素,根据形成成分过冷的条件:;;3、??晶偏析; 右图为 Cu-Ni合金的树枝晶及偏析,白亮部位Cu含量低,Ni含量高。
;§4-5 两相共晶体的长大 ;一、铸锭三区的形成;3、中心等轴晶区;? 冷却速度
提高冷却速度,即提高过冷度,可以提高形核率。由于晶粒数目多,所以晶粒变得细小。虽然过冷度大,晶体长大速度也增大,但是不如形核率的影响大。
提高冷却速度的途径:锭模温度低(可加冷却),浇注温度低,浇注速度慢。;?振动、搅拌
采用机械振动、超声波振动、人工或电磁搅拌等措施,使金属液体在锭模中运动,可以造成枝晶局部折断,从而增加晶核数目,使晶粒细化。例如做冰淇淋。;制取单晶;定向凝固;区熔法提纯;区熔多次使成分均匀
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