第8章带硅材料.pptVIP

第8章 带硅材料;硅棒要经过切片工艺得到硅片，一般硅片200~500μm，内圆切割所用的刀片的厚度为250~300μm，所以有近50%的硅材料被浪费，线切割线宽度一般为180 μm，也会有30%的硅材料被浪费。所以人们考虑直接生长带状硅，省去切片过程，降低成本。;8.1带硅材料的制备;2 线牵引带硅生长技术 垂直提拉生长技术 具有工艺简单、可以连续加料、连续生产的优点，晶体材料可以高速生长。生长速度高达25mm/min。 实验室最高转化效率可达15.1% 图8.3;3 枝网带硅工艺 属于垂直生长技术 晶体生长速度慢，但是晶体质量好，具有工艺简单，可连续加料的有点 实验室最高转化效率17.3%;4 衬底上的带硅生长技术 水平生长工艺 具有较高的拉制速率和产出率，制备的带硅相对较厚，300μmm左右。 实验室转化效率低于12%，目前没有商业化生产。;5 工艺粉末带硅生长技术 水平生长技术 缺陷很多，效率只能达到13%左右，没有实现工业应用。;8.2带硅材料生长的基本问题;边缘稳定性： 是指在晶体生长时，带硅边缘需要约束，以便生长出宽度一致的带硅，所以要对边缘进行限制。 边缘限制薄膜带硅生长技术利用石墨模具限制的 线牵引生长技术中使用抗高温的线材料限制的 枝网生长技术中利用枝晶沿带硅边缘的生长造成硅熔体在边缘的过冷而实现边缘稳定性的。;应力控制 是指在一定得生长速率下，带硅必须在固液界面保持一定的冷却温度梯度，因此，带硅的冷却速率都很高，导致带硅中残留较大的应力，最终导致带硅中产生大量的缺陷，甚至产生带硅的弯曲和破裂。 为此，一般都设计了后加热器，对晶体完成后的带硅进行后加热处理，以免带硅降温过快。 ;产率： 表8.1 提高产率，必须提高拉制速度，但是拉制速度的提高使热应力增大，也会增加缺陷。 另外，带硅生长时弯曲固液界面的稳定性需求进一步限制了生长速度。;8.3 带硅材料的缺陷和杂质;各种带硅材料的位错密度见表8.2;带硅材料的杂质： 带硅材料中氧、碳杂质浓度见表8.3 由于带硅生长过程是晶体连续生长，需不断添加硅原料，使得坩埚中熔体的杂质浓度不断增加，导致硅中金属杂质的浓度增加。;8.4 带硅材料的氢钝化和吸杂