第三讲自旋电子学.pptVIP

自旋电子学及其相关领域前沿科学研究 一、巨磁电阻效应（GMR） 二、隧道磁电阻效应（TMR） 三、稀磁半导体（DMS） 一、巨磁电阻效应（GMR） 巨磁电阻（GMR）效应 Fert （1988） Fe/Cr 超晶格 Phys Rev.Lett. 61 1988 , 2472 FM层间的振荡耦合――普适现象 Parkin 的贡献 （1990） Co/Ru， 振荡周期 约12埃 FM层间的振荡耦合――SMOKE 丘子强等 1992 Fe/Mo/Fe 单层膜厚度 t 的限制金属：t（≈2nm ）《 λ ≈20nm 《 Ls ≈200nm）  a，增大分子。需远小于”自旋弛豫长度“。两流体近似。 b，减小分母。需远小于”平均自由程“。弹性散射。 *平均自由程λ（10－30纳米） 自旋弛豫长度Ls（100－500纳米） Mott两流体模型 1 N.H.Mott,Proc.Roy.Soc. A153,699 1936 近似：电子与（热激发）自旋波散射可以忽略， （低于居里点） 只考虑电子与磁性离子自旋间的散射。 （s－d散射） 约定：与磁矩同方向的电子处于主要子带（majority） 相反方向自旋电子处于次要子带（minority） 两流体模型（2） 散射过程中没有自旋反转 S↑电子未被d ↑（ majority ）电子散射，对电导贡献大 （