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3.1 JFET VGS0的修正 偏置特点： VGS 0,栅结已经反偏，耗尽层宽度大于VGS＝0情况 ，沟宽减小 VDS 0，导电沟道形状还是与零偏时一样，沿沟道方向沟道截面积不断减小，沟道均比零偏情况下更窄 修正1: 线性区：有效沟道电阻增加,曲线斜率在减小， ID比零偏情况小 修正2: 饱和电压： 击穿电压： 3.1 JFET VGS0的修正 3.1 JFET 夹断电压 夹断电压：沟道全夹断时（h=a）的栅源电压VGS ， 记为Vp （耗尽器件Vp）n沟， Vp 0,使p+n结反偏；p沟， Vp 0,使n+p结反偏 （增强器件VT）n沟， VT 0,使p+n结正偏；p沟， VT 0,使n+p结正偏 VDS错改为VGS 计算：沟道夹断时，耗尽层宽度正好等于a，由单边突变结耗尽层公式 Vp=Vbi- 例：若a=0.75μm，Na=1018cm-3，Nd=1016 cm-3，得Vbi=0.814V，VP=-3.54V 结论：栅结偏压产生的电场改变了耗尽层大小，即改变了沟道电导， 从而控制了漏电流大小——电压控制器件 3.1 JFET 截止区与夹断电压 N沟耗尽型JFET的输出特性（ID-VDS