工艺-硅片制造.pptVIP

晶向 100 晶面 硅片表面腐蚀坑 层 错 为什么是硅? 历史的选择 储量丰富，便宜, 取之不尽，用之不竭 二氧化硅性质非常稳定，绝缘性能极好，且很容易通过热过程生长 禁带宽度大，工作温度范围宽 电学和机械性能都非常奇异。 从沙子到硅片 原材料：石英砂（二氧化硅） 沙子先转化为多晶硅 (冶金级 MGS) 将MGS粉末与HCl反应以形成三氯硅烷（TCS） 用汽化＋凝结法提高TCS的纯度 将TCS与H2反应生成多晶硅(电子级EGS) 从沙子到硅片-2 熔化EGS，拉成单晶硅锭 掐头去尾，磨边，做槽口或者切面 将硅锭切成硅片 边缘去角，抛光，湿法刻蚀，CMP 激光刻线 外延淀积 (optional) 电子级硅 （1）拉单晶: CZ 方法 CZ 拉单晶图示 （2）区熔法－FZ Method 两种方法的比较 CZ 方法更普遍 成本更低 硅片尺寸更大 (300 mm已可投入生产) 材料可重复使用 FZ方法（Floating Zone) 单晶纯度更高 (无坩锅) 成本更高，硅片尺寸偏小 (150 mm) 主要用于功率器件 五：掐头去尾、径向打磨、切面、或者制槽 六、硅片切割 Wafer Sawing 七、硅片倒角 Edge Rounding 八、抛光 粗抛 传统的, 研磨式的, 磨粉浆抛光 目的在于移除大部分的表面损伤 形成平坦的表面 九、湿法腐蚀 去除硅片表面的缺陷