工艺之氧化(五)12.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 作业题：1. 试分析(100)、(110)、(111)晶面Si衬底的氧化速率。2. 在微米级（假设1 mm）光刻工艺条件下，能否制备纳米级（100 nm）Si结构（如线条）？怎样做？试分析在不同晶面Si衬底上实施的情况。3. 为什么一般MOS集成电路多采用(100)晶面Si片？ * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 在800~1000 0C，对于(100)、(110)、(111)晶面，L分别为6.9、7.8、6.0nm 5.7.2 薄氧化层的制备 随着MOS管沟道长度不断减小，栅氧化层的厚度也要按比例减薄，这可防止短沟效应 在ULSI中，薄栅氧化层（10 nm）应满足下列关键要求 低密度缺陷 好的抗杂质扩散势垒特性 Si-SiO2界面处界面态、固定电荷密度低 在热载流子应力和辐射条件下稳定性好 低thermal budget工艺 影响薄氧化层生长的几个最重要方面： 氧化之前对Si片进行化学清洗情况 表面上亚氧化层（SiO）的形成 溶解在衬底间隙中的氧的数量 高质量薄