第七章微波有源电路1分析.pptx

微波工程导论Email:wbgcdl@Key:wbgcdl1主讲人：周建明4号教学楼221房间电话：010机houjm@内容提要7.1微波有源器件与网络描述7.1.1微波固态有源器件简介7.1.2微波单元电路及其制造7.2微波晶体管放大器的主要技术指标7.3微波低噪声放大器的设计7.3.1晶体管放大器的噪声特性7.3.2窄带低噪声放大器的设计7.4微波功率放大器7.4.1功率放大器的主要技术指标7.4.2大信号甲类功率放大器的设计7.5微波固态振荡器7.5.1简介7.5.2基本原理和技术指标7.5.3晶体管振荡器7.5.4介质谐振器振荡器7.5.5YIG调谐宽频带振荡器27.6微波调制器与控制电路7.6.1微波开关器件7.6.2微波移相器7.7微波混频器与倍频器7.7.1微波混频器的基本原理7.7.2微波混频器的主要技术指标7.7.3几种典型的微波混频器7.7.4微波倍频器的简单介绍7.8射频/微波收发前端7.8.1射频/微波发射机7.8.2射频/微波接收机7.9微波电路的CAD7.9.1常用的微波电路CAD软件7.9.2微波电路计算辅助设计-简介7.10微波电路测量技术7.10.1常用的微波测试设备7.10.2几种常见的微波参数测量方法7.1.1微波固态有源器件简介目前应用最多的器件是硅双极晶体管（简写为BJTs）、砷化镓金属半导体场效应管（GaAsMESFETs，简写为FETs）、GaAs和InP的高电子迁移率晶体管（HEMTs）、SiGe和GaAs两者的异质结双极晶体管（HBTs）等。硅双极晶体管有较低的漏电流和低的1/f噪声，只需单个电源供电，而且十分便宜，因此市场占有率高，用于放大器可工作于2-10GHz，用于振荡器可到20GHz。FETs和HEMTs有很高的工作频率，低的噪声系数，极好的开关特性，高的功率输出和在较低工作电压上有较高转换效率的能力。因此，作为单个分离的晶体管，FETs广泛用于低噪声放大、宽带放大、中功率和高功率高效率放大器、混频器、倍频器、开关电路和增益控制电路中。由于异质结构的应用而改善了电荷的转移特性（如在HEMTs中），或p-n结注入特性（如HBTs）HEMTs和HBTs器件为微波和毫米波的IC应用提供了潜在的优点。应用新颖结构生产的单片微波集成电路（MMICs）较大地改善噪声性能和高频工作（直至200GHz）。7.1 微波有源器件与网络描述37.1.2微波单元电路及其制造微波单元电路微波前端应用的固态器件包括肖特基二极管、PIN管和晶体管。而晶体管包括BJTs、FETs、MOSFETs、HBTs和HEMTs。在微波和毫米波电路中应用这些器件的电路包括放大器、振荡器、倍频器、混频器、开关、移相器、衰减器、调制器、限幅器及其它的应用。应用混合MIC技术制造的电路尺寸较PCB小，并可工作至毫米波频率。在制造单片微波集成电路（MMIC）中，所有有源和无源电路元件及其的互相连接是在一半导体绝缘基片（通常为GaAs）的表面上一起形成的。MMIC特点目前生产的MMICs多数工作于0.5-40GHz的频段。而覆盖毫米波的从30到200GHz的应用正在增加。单片集成技术特别适用于毫米波应用。MMICs的优点是费用低、尺寸小、重量轻、电路设计灵活、频带宽、可大批量生产、封装简单、改善生产中的重复性、抗辐射、改善可靠性、通用性好等。4设计微波放大器时所考虑的主要问题:放大器的功率增益噪声系数放大器的稳定性输出功率输出端的驻波比对功率放大器的效率等。7.2微波晶体管放大器的主要技术指标5四个反射系数为源的反射系数输入端反射系数输出端反射系数负载反射系数这四个参数既各自独立又有一定关联。例如，负载改变，将改变，输入反射系数也跟着改变，但输出反射系数和源的反射系数并不改变。相似地，如源阻抗改变、将改变，跟着改变，但和并不改变。6图中标出四种类型的功率量： Pa为由信号源给出的可用功率； Pin为实际交付给网络（器件）的功率； Pout为网络输出的可用功率； PL为实际交付给负载的功率。（1）功率增益实际应用中有转换功率增益、可用功率增益和工作增益。转换功率增益定义为负载吸收的功率与信号输出的可用功率之比，即可用功率增益定义为网络输出的可用功率与源输出的可用功率之比，即工作功率增益定义为实际交给负载的功率对输入到网络的功率之比，即7对输入和输出端口，入射波和反射波的关系为联立求解得：同理有：交付给网络的平均功率为：交付给负载的功率为：参考图可写出向着源和向着负载看去的反射系数分别为8源的可用功率是可交付给网络的最大功率，它是当网络的输入阻抗与源阻抗共轭匹配时出现9同理，网络输出的可用功率是可交付给负载的最大功率可得有关功率增益的计算式1、可用功率增益为102、工作功率增