第八章光刻分析.ppt

第八章 光刻 8.1 简介 定义：光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所 规定的特定区域的基本操作。 本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。这些结构以图形形式制作在掩膜版上，紫外光透过掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上然后用一种刻蚀的工艺把薄膜图形成像在下面的硅片上。 正性光刻 负性光刻 电子束光刻机 电子束曝光是指具有一定能量的电子进入到 光刻胶中与胶分子相互作用，并产生光化学 反应。 所需图形从计算机生成，因此没有掩 膜版。束流通过偏转子系统对准表面特定位 置，然后在将要曝光的光刻胶上开启电子 束，并在电子束下移动，从而得到整个表面 的曝光。这种对准和曝光技术叫做直写。 电子束曝光的原理是利用具有一定能量的电子与光刻胶的碰撞作用，发生化学反应完成曝光。 具有一定能量的电子束进入光刻胶，与光刻胶发生碰撞时，主要有三种情况：①电子束穿过光刻胶层，既不发生方向的变化也没有能量的损失； ②电子束与光刻胶分子发生弹性散射，方向发生改变，但不损失能量； ③电子束与光刻胶分子发生非弹性散射，方向改变，且有能量损失。 电子进入光刻胶之后发生的弹性散射，是由于电子受到核屏蔽电场作用而引起的方向偏转，绝大多数情况下偏转角小于90。在非弹性散射的情况下，散射角θ与入射电子的能量损失有关。 电子在光刻胶中发生散射，可以将散射分为前向散射和背散射，前向散射的散射方向与电子束入射方向的夹角θ很小，只导致曝光图形的轻微展宽。 背散射将使大面积的光刻胶层发生程度不同的曝光，最终使大面积的图形模糊，因此造成电子束曝光所形成的图形出现畸变，这种效应称为邻近效应。 集成电路制造中用电子束光刻来转移图形有 几个优点：1.能够制出比1微米还要小的抗刻 蚀的几何图形；2.片子可以不用掩模版直接 制作；3.可以实现高度自动化；4.电子束比光 学的光刻系统具有更大的焦深；5.电子束可 以用来检测硅片上的图形，这种功能可以用 来极精确地进行层与层之间的对准定位。 焦深为焦点深度的简称，即在使用显微镜时，当焦点对准某一物体时，不仅位于该点平面上的各点都可以看清楚，而且在此平面的上下一定厚度内，也能看得清楚，这个清楚部分的厚度就是焦深。焦深大, 可以看到被检物体的全层，而焦深小，则只能看到被检物体的一薄层。 NA是镜头的孔径数值 焦深也就是景深，通常用在摄影工作中表明相机透镜容许的聚焦范围。当数值孔径增加后，透镜就可以捕获更多的光学细节并且系统的分辨能力也增加了。焦深方程的含义是如果分辨率提高了那么焦深就会减小。 分辨率和焦深的对应关系 在光刻中，对图像质量起关键作用的两个因素是分辨率和焦深。既要获得更好的分辨率来形成关键尺寸的图形，又要保持合适的焦深。影响硅片水平放置、平稳和透镜焦面水平的光刻设备和工艺的任何方面都将影响曝光过程的聚焦质量。如果图像平面在光刻胶中最佳焦面以外，质量就会变差。 缺点：电子束光刻设备的问题主要是工作速度太慢，他每小时只能生产约5片分辨率小于1微米的硅片。这当然无法与每小时生产40片分辨率为1.5微米硅片的光学设备的产量在经济上相匹敌的。 曝光方式比较 小结 集成电路发展中非常突出的特征是元器件加工的尺寸愈细， 一个芯片上包括的元件数愈多，则电路的价格愈便宜，可靠性愈 高，即集成电路是通过技术的进步提高它的性能、价格比．在缩小 器件尺寸的贡献中，光刻是最核心的工艺技术．本节介绍的几 种光刻方法，在集成电路发展的各个阶段，都在大量生产中发挥 过或将要发挥重要作用． 接触型曝光国际上一直沿用到七十年代中．接 近式曝光在七十年代中、后期应用较广．投影 曝光在七十 年代中期得到应用，目前已成为 主要的生产装置，但在技术上则有 大幅度改 进和变化。早期的投影曝光是全硅片一次曝 光．现在 硅片尺寸已达到150mm，而最细曝 光线条已小于l微米，一次曝 光已非常困难。 普遍采用多次重复曝光来完成，即所谓DSW的 方法． 光刻线条采用亚微米的尺寸，在实验室中正在开发，即将过 渡到工业生产．亚微米曝光，采用投影曝光等方法，受衍射等限制 迫使人们在探讨新的途径。扫描电子束曝光从原理上是一种比较理想的方法．今天看来．主要问题是加工速度慢，虽然它曝光一 个点或线仅需10-5一10-6秒，但在一个大于100mm硅片上完成图形曝光约需1小时以上，效率比光学方法低几十倍． 目前生产上 主要用它做掩膜，实验室中则 在试图提高硅片上直接曝光的效率。正在尝 试的方法是组合曝光，即对集成电路中图形 线条宽的采用 投影曝光最细的线条用电子束 曝光．弥补电子束慢的不足，但这 需解决设 备的相容性，也是非常