第10章IGBT的设计及仿真验证分析.pptVIP

* */43 （2）高压终端结构的仿真 为了获得高的耐压，需要多个场限环来分担高电压； 虽然通过理论计算可以获得理想的场限环结构，但由于实际工艺中不可避免的存在各种偏差，如光刻套偏，侧向腐蚀等； 为了保证足够的耐压，在理论计算的基础上多加1-2个环； 采用18个环的结构（用MEDICI直接构造） 环n 1 2 3 4 5 6 7 8 9 间距(um) 8 8 8 8 9 9.5 10 10 11 环n 10 11 12 13 14 15 16 17 18 间距(um) 12 13 13 浙大微电子 * */43 18个场限环结构的击穿电压仿真结果：1875V 浙大微电子 * */43 本章内容 一、IGBT结构简介 二、IGBT元胞结构设计 三、高压终端结构的设计 四、IGBT工艺流程设计 浙大微电子 * */43 （1）使用材料的选择 硅外延片（适用于≤ 1200V 产品 ） 硅单晶 两种硅单晶比较 Method CZ（直拉） FZ（区熔） 直径（mm） 76~450 50~200 电阻率 0.002~60 0.1~10000 电阻率均匀性 ≤15% 5~15% 成本 低 高 浙大微电子 * */43 （2）参数及工艺流程 由第二部分Medici确认结深及掺杂，则工艺参数的制定因以达到相关结构参数来选择；