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半导体物理01基础知识概论.ppt

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半导体物理01基础知识概论

1.3.3 半导体中电子的加速度 若令 由此可见,引入有效质量mn*后,半导体中电子所受的外力与加速度的关系和牛顿第二运动定律相似,只是以半导体的有效质量替代电子的惯性质量。 仍按一维情况讨论,电子受外力f作用时,应有: 电子加速度定义为: 则 可见在外力f作用下,电子的波矢k不断改变 1.3.4 有效质量的物理意义——实际的作用 上述半导体中电子的运动规律公式都出现了有效质量mn*,原因在于f =mn*a中的 f 仅仅是半导体中电子所受外力的总和。 即使没有外力作用,实际半导体中电子也要受到格点原子和其它电子的作用。存在外力时,电子所受合力等于外力再加上原子核势场和其它电子势场力。 由于找出原子势场和其他电子势场力的具体形式非常困难,这部分势场的作用就由有效质量mn*加以概括,mn*有正有负正是反映了晶体内部势场的作用。 既然mn*概括了半导体内部势场作用,外力f与电子的加速度就通过mn*联系了起来而不必再涉及内部势场。 电子在外力 作用下运动 受到外电场力 f的作用 内部原子、 电子相互作用 内部势场作用 引入有效质量 外力f和电子的 加速度相联系 有效质量概括 内部势场作用 1.3.4 有效质量的物理意义——具体的描述 有效质量的物理意义在于:它概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动运动规律时,可以不涉及到半导体内部势场的作用。 mn*可以直接由实验测定,因而可以很方便地解决电子的运动规律。 1.3.4 有效质量的物理意义——能带结构的影响 自由电子、晶体中电子E(k)~k,v~k和m~k关系 1.3.4 有效质量的物理意义——能带结构的影响 有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比,能带越窄,二次微商越小,有效质量越大: 内层电子的能带窄,有效质量大,在外力作用下不易运动。——内层电子受原子核束缚作用大! 外层电子的能带宽,有效质量小,在外力作用下可获得较大的加速度。 ——外层电子受原子核束缚作用小! 并不代表半导体中光电子的实际动量。一般称为半导体中电子的准动量。 1.3 节知识点 半导体能带极值附近的E(k)~k关系: 半导体中电子的平均速度计算式: 有效质量的定义: 有效质量的物理意义、能带结构对有效质量的影响 能带中的电子如何导电? 导体、半导体和绝缘体的导电机理? 半导体的导电机构 一、能带中电子的导电作用 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 1、空带与满带中的电子不导电 以一维情况为例进行简单讨论: (1)、无外场: 能带被电子占满,电子在k空间对称分布——每一个k状态对应有一个-k状态。 根据: 有: 所有k态电子的速度与-k态电子的速度大小相等,方向相反,他们对电流的贡献相互抵消,晶体中无宏观电流。 满带中电子的分布 (2)、有外场: 所有k态电子与-k态电子对电流的贡献仍然可以相互抵消,晶体中无宏观电流。 重要结论:电子对电流是否有贡献,取决于能带中电子的分布 满带时,由于E(k)是以BZ长度为周期的函数,外场作用下,从k空间中BZ一侧跑出去的电子,又从另一侧进入该BZ——外电场不改变电子在k空间的对称分布 说明在外场作用下,电子的状态随时间不断改变,也即电子在k空间中“移动”。 外电场作用下,电子受力: 满带中电子的分布 2、不满带中的电子可以导电 无外场时,根据能量最低原理,并注意到E( k )是k的偶函数,电子在能带中的分布是对称的,没有宏观电流 有外电场时,能带中的全部电子空间的状态均要发生改变, 从而使得在能带中电子的分布变得不对称了。能带中就有一部分电子对电流的贡献将不可能被抵消,宏观上就表现为传导电流。 无外场时不满带中电子的分布 有外场时不满带中电子的分布 此部分电子对电流有贡献 二、导体、半导体和绝缘体的导电机理 金属:存在不满带,是良导体 绝缘体:没有不满带,不导电 半导体:没有不满带,但满带(价带)与空带(导带)之间的禁带较小,在热激发或光照下,满带部分电子可跃迁到导带,形成不满带,参与导电。 禁带宽度大 禁带宽度小 三、半导体的导电机构——本征激发 影响半导体导电性的两个能带: 价带:最高填充带(满带) 导带:最低未被填充带(空带) 导电机理: 本征激发:热力学温度不为0或外光照作用下,价带顶部部分电子被激发到导带底部附近的过程。 能带部分填充:本征激发使部分价带电子跃迁至导带,而在价带留下一些空状态。导带与价带都表现导电特性。 T0K时,内部产生本征激发 三、半导体的导电机构——本征激发与本征半导体 T0K时,内部产生本征激发 本征激发的重要特点: 受电子跃迁过程和能量最低原理制约,本征激发只发生在价带顶部和导带底部之间。 换言之,半导体中对电导真正起作用的是那些能带极值附近的能量状态。 不掺任何杂质的纯

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