第八章离子注入.ppt

本章小结 离子注入的概念 离子注入的优缺点 注入剂量、束流、束斑 注入能量 平均投影射程、平均投影偏差 本章小结 离子注入杂质分布 离子注入最大浓度、结深 沟道效应和控制方法 离子注入损伤和退火 本章小结 离子注入在CMOS工艺中的应用 离子注入设备的组成 浅结注入 本章习题 书中第17章： 25、53、55、56 本章作业 1. 列举离子注入的6个优点 2. 解释沟道效应。列举抑制沟道效应的4种方法。 3. 解释离子注入之后进行热退火的作用。 4. 在P型〈100〉衬底硅片上，进行As离子注入，形成P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1016cm-3，注入能量：100KEV，注入剂量：5.0E15，试计算砷离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。 注入损伤 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 （a）轻离子损伤情况 （b）重离子损伤情况 离子注入退火 工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。 1. 高温炉退火 通常的退火温度：＞950℃，时间：30分钟左右 缺点：高温会导致杂质的再分布。 2 . 快速热退火 采用RTP，在较短的时间（10－3～10－2 秒）内完成退火。 优点：杂质浓度分布基本不发生变化 4.4 离子注入的应用 在先进的CMOS 工艺中，离子注入的应用： 1. 深埋层注入 2. 倒掺杂阱注入 3. 穿通阻挡层注入 4. 阈值电压调整注入 5. 轻掺杂漏区（LDD）注入 6. 源漏注入 7. 多晶硅栅掺杂注入 8. 沟槽电容器注入 9. 超浅结注入 10. 绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入 闩锁效应（Latch-Up） 深埋层注入 高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应 倒掺杂阱注入 高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。 穿通阻挡层注入 作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。 阈值电压调整注入 NMOS阈值电压公式： QBm＝q·NB·Xdm， QBm为表面耗尽层单位面积上的电荷密度 轻掺杂漏（LDD：Lightly Doped Drain ）注入 作用：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。 源漏注入 多晶硅栅掺杂注入 沟槽电容器注入 LPCVD多晶硅具有非常好的台阶覆盖共形性 超浅结注入：大束流低能注入 作用：抑制短沟道效应 绝缘体上的硅（SOI）中的氢、氧注入 SOI：IBM（2001）、AMD（ 130nm以下） SOI结构SEM照片 Smart Cut Si Si H Oxidation Hydrogen Implantation Substrate Flip and Bonding SiO2 SiO2 SiO2 Si Substrate Cut and CMP SiO2 Si SIMOX 锗注入形成锗硅源漏区 Si O Oxygen Implantation Si High Temperature Annealing SiO2 8.5 离子注入设备 离子注入机主要由以下5个部分组成 1. 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 3. 加速管 4. 扫描系统 5. 工艺室 离子注入系统 1. 离子源 离子源用于产生 大量的注入正离 子的部件，常用 的杂质源气体有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。 电子轰击气体原 子产生离子。 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 吸极用于把离子从离子源室中引出。 质量分析器磁铁 分析器磁铁形成90°角，其磁场使离子的轨迹偏转成弧形。不同的离子具有不同的质量与电荷（如BF3→ B＋、BF2＋等），因而在离子分析器磁场中偏转的角度不同，由此可分离出所需的杂质离子。 通过调节磁场大小选择特定的离子 3. 加速管 加速管用来加速正离子以获得更高的速度（即动能）。 加速管 离子注入能量与剂量 高能注入 线性加速器：一组电极，只有离子处于两电极之间时两电极加电压，从而只需几十kV的电压源产生可达MeV的注入能量。 低能注入 带相同电荷的离子在行进过程中互相排斥，低能注入行进时间长，离子束直径增大明显。 增大束斑、减小束流、减小离子束运动距离（甚至不用加速管）、束流减速、空间电荷中和。 中性束流陷阱 作用：在扫描注入之前再进行一次提