0绪论-半导体器件可靠性物理解读.ppt

半导体器件可靠性与测试 北京大学微电子学系 王金延、解冰 Tel jywang@ime.pku.edu.cn xieb@ime.pku.edu.cn * * Department of microelectronics Peking University 课程的目的 1. 了解半导体器件可靠性研究的发展过程 2. 熟悉引起半导体电路失效的主要模式 3. 熟悉引起器件退化的主要退化机制 4. 基本掌握器件退化的主要表征技术和检测方法 课程目的 课程的要求 1. 知道引起MOS电路失效的主要几种失效模式 主要的失效规律 2. 了解MOS器件失效的主要退化机制 掌握相关的分析和判定方法 3. 熟悉目前主要的MOS器件退化检测方法和表征技术 课程要求 课程的参考书 1. 半导体物理学，刘恩科、朱秉升、罗晋生编著， 西安交通大学出版社，1998 2. 半导体器件物理，SM.Z.，黄振岗译、魏策军校， 电子工业出版社，1987 3. 半导体器件可靠性物理，高光勃、李学信编著， 科学出版社，1987 3. 微电子器件可靠性，史保华、贾新章、张德胜， 西安电子科技大学出版社，1999 4. 硅－二氧化硅界面物理，郭维廉， 国防工业出版社，1988 课程参考书 半导体器件可靠性物理 绪论 MOS器件退化机制和模型 E2PROM退化机理和模