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MolecularBeamEpitaxy(MBE)Contents:1.Whatisthemoleculebeamepitaxy2.ThemechanismofMBE3.Application1.WhatisthemoleculebeamepitaxyAtypicalMBEsystem*MolecularBeamEpitaxy**MBESourceSourceisinheremolecularbeamcomesouthererrInventedinlate1960’satBellLaboratoriesbyJ.R.ArthurandA.Y.Cho.分子束外延(MBE)超高真空10-8Pa,分子束流直接喷射到衬底。到达衬底的分子仅由蒸发系统的几何形状和蒸发源温度决定。所以可以精确控制晶体生长速率、杂质浓度、多元化合物成分比。AlfredCho–thefatherofMBE卓以和,美籍华裔科学家。美国科学院院士,因为在分子束外延镀膜技术方面具有卓越的贡献被誉为“分子束外延之父”卓以和是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和新型器件研究领域的奠基人与开拓者。他用新材料成功研制出10多种极为重要、性能优异的新型微波高速电子仪器及光电子仪器,多次领先同侪。最近10年间,分子束外延研究获得长足发展,在激光、医学检测、环境分析、半导体制造等方面得到广泛应用,令卓以和在2007年再次获颁美国国家科学奖章及国家技术奖章Threegrowthmodes2.ThemechanismofMBEIslanding(Volmer-Weber)Intheislandingmode,smallclustersarenucleateddirectlyonthesubstrateandthengrowintoislandsofthecondensedphase凝固相.Thisresultsfromastrongerbindingofthegrowingconstituentstoeachotherthantothesubstrate.LayerbyLayer(Frank-vanderMerve)Thelayerbylayermodeshowsoppositecharacteristics.Sincetheatomsaremorestronglyboundtothesubstratethantoeachother,acompletemonolayer(ML)isformedfirst,beforegrowthofthenextMLbegins,whichissomewhatlessstronglybound.Layergrowthisobtainedprovidedthatthedecreaseinbindingenergyismonotonicandreachesthevalueofthesuppliedmaterialinbulkphase.Layer+Island(Stranski-Krastanov)Thisintermediatecasecanariseifaftergrowthofthefirst(few)ML,whicharestronglyboundtothesubstrate,astrongdecreaseinthebindingenergymakessubsequentlayergrowthunfavourable.Islandsareformedontopofthiswettinglayer.Theremaybemanydifferentoriginsforthisgrowthmode.Anythingthatdisturbsthemonotonicdecreaseinbindingenergymaybetheorigin.ApopularapplicationoftheStranski-Krastanovgrowthmode,wheretheaccumulationofstrainleadstoislandformationistheself-organizedgrowthofquantumdots.Stranski-KrastanovgrowthofGeonSi(001)3Dislandsformation~3.5MLGe,475°C,(110nm)2hutspyramidsWettinglayer~2.5MLGe,475°C,(44nm)24%latticemismatchbetweenGeSiAtomicProcessesinNucleationGrowthAdsorption,diffusion,incorporation,nucleation,desorption,coarseningwheretheycanundergo
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