第6章掺杂技术导论.pptVIP

（5）扫描器 离子束是一条直径约1～3的线状高速离子流，必须通过 扫描覆盖整个注入区。扫描方式有：固定wafer，移动离子 束；固定离子束，移动wafer。离子注入机的扫描系统有电 子扫描、机械扫描、混合扫描以及平行扫描系统，目前最常 用的是静电扫描系统。 静电扫描系统由两组平行的静电偏转板组成，一组完成 横向偏转，另一组完成纵向偏转。在平行电极板上施加电场，正离子就会向电压较低的电极板一侧偏转，改变 电压大小就可以改变离子束的偏转角度。静电扫描系统使离 子流每秒钟横向移动15000多次，纵向移动移动1200次。 静电扫描过 程中，wafer固 定不动，大大降 低了污染几率， 而且由于带负电 的电子和中性离子不会发生同样的偏转，这样就可以避免被 掺入到wafer当中。 * * 一、扩散 二、离子注入 第6章 掺杂技术 掺杂就是使杂质进入wafer内部，并在wafer中的某区 域以一定浓度分布，从而改变器件的电学性能，掺入的杂质 可以是IIIA族和VA族的元素。利用掺杂技术，可以制作 PN结、欧姆接触区、以及电阻等各种器件。 扩散是较早时期采用的掺杂技术，并且沿用至今，随着 扩散工艺的完善，其设备和操作也已采用计算机控制了。离 子注入法是上个世纪60年代发展起来的一种在很多方面都优 于扩散法的掺杂工艺，离子注入技术大大推动了集成电路的 发展，使集成电路的生产进入超大规模时代。 扩散原理与模型 扩散描述了一种物质在另一种物质中运动的情况，就是 一种原子、分子或离子在高温驱动下由高浓度区向低浓度区 运动的过程。集成电路中扩散的目的是为了控制杂质浓度、 均匀性和重复性，以及成批大量生产器件，降低生产成本。 1．扩散模型 扩散有气态扩散、液态扩散以及固态扩散三种。杂质也 可以在硅中移动而扩散进入硅晶格内部。 杂质原子在wafer中可以替位型和填隙型两种形式存 在，替位型杂质的掺入是可以改变材料电学性质的。替位型 杂质在硅中的扩散方式有替代扩散、空位扩散和间隙扩散三 种。一般情况下，硼、磷、砷、锑等三五主族杂质都是空位 扩散模式，而金、银等重金属杂质都是间隙扩散模式。 2.扩散原理 扩散现象必须具备两个条件：温度和浓度梯度。当杂质 浓度以及缺陷密度较低时，扩散运动可用菲克扩散定律来描 述为 。式中，J代表单位时间内杂质原子的扩散 量； 即为沿x方向杂质浓度变化率；D是杂质扩散系数。 负号表示扩散方向与杂质浓度的增加方向相反，也就是沿着 浓度下降的方向。 扩散的方法有很多，液态源扩散、固态源扩散、箱法扩 散、涂源扩散以及金扩散等，生产上常用的是前三种。无论 是那一种扩散方法都需要经过以下步骤：开启扩散炉平衡温 度；清除wafer表面的杂质及自然氧化层；将wafer送入 扩散炉中，开始预淀积；升高炉温，推进并激活杂质；取出 wafer，测量扩散层的电阻和结深。 1．液态源扩散 保护性气体（如氮气）通过液态源以蒸汽形式进入扩散 炉中，杂质源在高温下分解并于wafer表面的硅发生反应， 然后杂质以原子的形式扩散进入wafer内部，达到掺杂的目 的。 2.固态源扩散 固态源扩散具有设备简单、操作方便、不需要盛放杂质 源的器具和携带杂质源的气体、气体流量不会影响扩散结 果、扩散效果好等优点。 用于固态硼扩散的杂质源为片状氮化硼，片状氮化硼首先经过氧化激活，使其表面氧化生成三氧化二硼，三氧化二硼与硅反应生成二氧化硅和硼原子，硼原子开始扩散。反应如下： 用于固态磷扩散的杂质源是偏磷酸铝和焦磷酸硅经过混 合、干压、烧制而成的，这两种化合物在高温下分解，释放 出五氧化二磷，五氧化二磷与硅反应生成磷原子，磷原子向 wafer内部扩散。反应如下： 扩散时杂质源与wafer交叉相距3至5mm置于V形槽 内，并且通入氮气作为保护性气体。 3.固-固扩散 固-固扩散是利用wafer表面含有所需杂质的氧化层作 为杂质源进行扩散的方法，可得到均匀性、重复性较好的 结，比较适合对于表面杂质浓度要求很严的扩散。 扩散分两步进行。第一步在低温（约700～800℃）下 淀积包含杂质的氧化层。第二步，升高反应温度，使表面的 氧化层与硅反应生成杂质原子，开始再分布扩散，达到预期 目的 。 4.扩散层的测量 扩散层的测量包括扩散层电阻和扩散层深度（结深）的 测量。 （1）扩散层电阻的测量 扩散层电阻即方块电阻。对于一块均匀的导体，其导电 能力与材料的电阻率ρ、长度L以及