第一章半导体物理基础(二)要点分析.ppt

* 1.2.5半导体的结 * P 区 NA N 区 ND 半导体的结-PN 结 PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 PN结中的载流子既有漂移运动，又有扩散运动； 既有产生，又有复合，这些性质集中反映在半导体 的导电特性中。 * P N PN结 1、PN 结的形成 在同一块N型（或P型）半导体单晶上，用特定 的工艺方法把P型（或N型）杂质掺入其中，使这块 单晶相连的二个不同区域分别具有N型区和P型区的 导电类型，在二者交界面以及交界面两侧的过渡区 即称为PN结。 * PN 结类型 按材料分为同质结，和异质结 按导电类型分为同型结和异型结 按杂质的分布分为突变结和线性缓变结 * 工艺方法 合金法 扩散法 生长法 离子注入法 光刻工艺(硅平面工艺） 2 、 PN结的形成过程 * 合金法制造PN结过程 熔融 P-Si Al N-Si 在一块N型硅片上放置一铝箔，铝箔上加一石墨压块， 并置于600℃以上的烧结炉中恒温处理5分钟，然后缓慢降温经这样的处理后的硅片的上表面就形成可很薄的一层P型再结晶层，PN结形成了。 突变结 P区与N区的交界面处的杂质浓度分布是突变的，此法称为合金结，又称突变结。 * P区 N区 x 杂质浓度 xj NA ND P区与N区的杂质浓度都是分布均匀的 N型区施主杂质浓度为ND P型区受主杂质浓度为NA 在交界面处x = 0，杂质浓度由P型突变为N型 突变结 * 单边突变结：当一侧的浓度远大于另一侧时 N＋ P结： ND NA N0 ≈ NA P＋ N结： NA ND N0 ≈ ND 突变结 * P-Si N-Si 扩散法制造PN结过程 缓变结 N P x 杂质浓度 xj ND -NA 在一块N型硅片上用化学方法涂敷一层含有Al2O3的乙醇 溶液，在红外线灯下干燥后，置于1250℃的扩散炉中进行高 温处理若干小时，然后缓慢降温。 PN结两边的杂质浓度是非均匀的 常按照一定的函数规律而变化。 * 实际PN结近似 缓变PN结附近杂质浓度有两种近似处理方法 A、线性缓变结近似 B、突变结近似 N P x 杂质浓度 xj ND -NA * 2.1.1 PN结空间电荷区 2.1.2 电场分布于电势分布 2.1 热平衡PN 结 * 平衡PN结：指半导体在零偏压条件下的PN结。 PN 结内温度均匀、稳定，不存在外加 电压、光照、磁场、辐射等外作用平衡 状态。 2.1.1 PN结空间电荷区 * ◎平衡PN结能带图 平衡PN结有统一的费密能级EF * 空间电荷：带正电的电离施主和带负电荷的电离 受主都是固定在晶格点上不可移动， 称之为空间电荷。 空间电荷区：空间电荷所在的区域。 空间电荷区的形成 空间电荷不能移动，也不能传导电流。 * 内建电场E内： 空间电荷所产生的电场， 此电场不是由外部因素引起的，而是由PN结内部 载流子运动形成的，由N区指向P区。 PN结的内建电势(接触电势) 由内建电场所导致的N区和P区的电位差。 一、空间电荷区的形成 * : 接触电势差 （内建电势） 空间电荷区又称 势垒区 耗尽层 平衡PN结能带图 2.1.1 平衡PN结能带图 P N 空间电荷区 内建电场 P N x p x n 位 电 q 电子的电势能 带 能 qVD EC EV EF Ei 带 能 EC EV EFN Ei EFP * 1、中性区：远离空间电荷区P型和N型区多子浓度等于电离杂质浓度，因而保持电中性。这时这部分区域称为 “中性区”。 2、边界层：既存在失去电子的空穴的杂质电离中心，又存在一些自由载流子，电荷分布很复杂，可以推得边界层的宽度远小于空间电荷区的宽度，通常可以忽略 3、耗尽区：在空间电荷区，杂质电离中心浓度较大，远大于自由载流子浓度，相当于载流子浓度被耗尽，所以该区域称为耗尽区或者耗尽层。 PN结分为三部分： 2.1.2电场分布与电势分布 * 一个平衡PN结中，空间电荷区以外的区域都是电中性的。 P区一侧的中性区称为P型中性区； N区一侧的中性区称为N型中性区。 N P 空间电荷区XM XN XP * NA：P区受主掺杂浓度 ND：N区施主掺杂浓度 ni ：本征载流子浓度 扩散电势差 PN结的势垒高度与两边的掺杂浓度有关。 掺杂浓度越高，势垒高度越大