电工学_7要点分析.ppt

多数载流子浓度高 基区薄且多数载流子浓度低 集电结面积比较大 14.5 双极型晶体管(三极管) 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 发射结正偏、集电结反偏 B E C iB iE iC NPN型三极管 B E C iB iE iC PNP型三极管 三极管的电路符号图 IC V UCE UBE RB IB EC EB 晶体管电流放大的实验线路 2. 各电极电流关系及电流放大作用 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 从基区发射结扩散来的电子作为基区的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，由少子（空穴）形成反向电流ICBO。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IB=IBE-ICBO?IBE IC = ICE+ICBO ? ICE IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICEO 14.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 1. 输入特性 UBE0V，UCE=0V时，集电结和发射结均正偏，从发射区和集电区扩散来的电子（多子）与基区中不断产生的空穴复合，形成电流IB UBE0V，UCE=0.5V时，发射结正偏，加于集电结上的电压小于死区电压，此时IB主要由从发射区扩散来的电子（多子）与基区中不断产生的空穴复合形成 UBE0V，UCE?1V时，发射结正偏，集电结反偏，从发射区扩散来的电子（多子）的一小部分与基区中不断产生的空穴复合形成IB，其余电子越过集电结到达集电区 UBE一定时，UCE由0增大时，电流IB逐渐减小； UCE增大到集电结反偏后，IB不再明显减小。 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 2. 输出特性 称为饱和区，此区域中UCE?UBE,集电结和发射结均正偏， IC 不受IB 控制，?IBIC，饱和时的管压降UCES?0.3V。 UCE＝UBE时的临界饱和曲线 称为截止区，此区域中: IC=ICEO?0。常使UBE 0以确保截止，此时发射结和集电结均反偏。 输出特性三个区域的特点 (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC ，此时IC不再受IB的控制，称为集电极饱和电流ICS ，集、射极电压UCE=UCES ?0，相当于接通状态 (3) 截止区：UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 三极管工作在放大区时，可以实现电流放大的作用；而工作在截止区或饱和区时，类似一个开关的断开或接通。 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 静态电流(直流)放大系数 动态电流(交流)放大系数 当晶体管接成共发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的