第七章微波有源电路1解决方案.pptx

微波工程导论Email:wbgcdl@Key:wbgcdl 1 主讲人：周建明 4号教学楼221房间 电话：010手机zhoujm@ 内容提要 7.1 微波有源器件与网络描述 7.1.1 微波固态有源器件简介 7.1.2微波单元电路及其制造 7.2微波晶体管放大器的主要技术指标 7.3微波低噪声放大器的设计 7.3.1 晶体管放大器的噪声特性 7.3.2 窄带低噪声放大器的设计 7.4微波功率放大器 7.4.1 功率放大器的主要技术指标 7.4.2 大信号甲类功率放大器的设计 7.5微波固态振荡器 7.5.1简介 7.5.2基本原理和技术指标 7.5.3 晶体管振荡器 7.5.4 介质谐振器振荡器 7.5.5 YIG调谐宽频带振荡器 2 7.6微波调制器与控制电路 7.6.1微波开关器件 7.6.2 微波移相器 7.7微波混频器与倍频器 7.7.1 微波混频器的基本原理 7.7.2 微波混频器的主要技术指标 7.7.3 几种典型的微波混频器 7.7.4 微波倍频器的简单介绍 7.8射频/微波收发前端 7.8.1 射频/微波发射机 7.8.2 射频/微波接收机 7.9微波电路的CAD 7.9.1 常用的微波电路CAD软件 7.9.2 微波电路计算辅助设计-简介 7.10微波电路测量技术 7.10.1常用的微波测试设备 7.10.2几种常见的微波参数测量方法 7.1.1 微波固态有源器件简介 目前应用最多的器件是硅双极晶体管（简写为BJTs）、砷化镓金属半导体场效应管（GaAs MESFETs，简写为FETs）、GaAs和InP的高电子迁移率晶体管（HEMTs）、SiGe和GaAs两者的异质结双极晶体管（HBTs）等。 硅双极晶体管有较低的漏电流和低的1/f噪声，只需单个电源供电，而且十分便宜，因此市场占有率高，用于放大器可工作于2-10GHz，用于振荡器可到20GHz。 FETs和HEMTs有很高的工作频率，低的噪声系数，极好的开关特性，高的功率输出和在较低工作电压上有较高转换效率的能力。因此，作为单个分离的晶体管，FETs广泛用于低噪声放大、宽带放大、中功率和高功率高效率放大器、混频器、倍频器、开关电路和增益控制电路中。 由于异质结构的应用而改善了电荷的转移特性（如在HEMTs中），或p-n结注入特性（如HBTs）HEMTs和HBTs器件为微波和毫米波的IC应用提供了潜在的优点。应用新颖结构生产的单片微波集成电路（MMICs）较大地改善噪声性能和高频工作（直至200GHz）。 7.1 微波有源器件与网络描述 3 7.1.2微波单元电路及其制造 微波单元电路 微波前端应用的 固态器件包括肖特基二极管、PIN管和晶体管。而晶体管包括BJTs、FETs、MOSFETs 、HBTs和HEMTs。在微波和毫米波电路中应用这些器件的电路包括放大器、振荡器、倍频器、混频器、开关、移相器、衰减器、调制器、限幅器及其它的应用。 应用混合MIC技术制造的电路尺寸较PCB小，并可工作至毫米波频率。 在制造单片微波集成电路（MMIC）中，所有有源和无源电路元件及其的互相连接是在一半导体绝缘基片（通常为GaAs）的表面上一起形成的。 MMIC特点 目前生产的MMICs多数工作于0.5-40GHz的频段。而覆盖毫米波的从30到200GHz的应用正在增加。单片集成技术特别适用于毫米波应用。 MMICs的优点是费用低、尺寸小、重量轻、电路设计灵活、频带宽、可大批量生产、封装简单、改善生产中的重复性、抗辐射、改善可靠性、通用性好等。 4 设计微波放大器时所考虑的主要问题: 放大器的功率增益 噪声系数 放大器的稳定性 输出功率 输出端的驻波比 对功率放大器的效率等。 7.2微波晶体管放大器的主要技术指标 5 四个反射系数为 源的反射系数 输入端反射系数 输出端反射系数 负载反射系数 这四个参数既各自独立又有一定关联。例如，负载改变， 将改变，输入反射系数 也跟着改变，但输出反射系数 和源的反射 系数并不改变。相似地，如源阻抗改变、 将改变， 跟着改变，但 和 并不改变。 6 图中标出四种类型的功率量： Pa为由信号源给出的可用功率； Pin为实际交付给网络（器件）的功率； Pout为网络输出的可用功率； PL为实际交付给负载的功率。 （1） 功率增益 实际应用中有转换功率增益、可用功率增益和工作增益。 转换功率增益定义为负载吸收的功率与信号输出的可用功率之比，即 可用功率增益定义为网络输出的可用功率与源输出的可用功率之比，即 工作功率增益定义为实际交给负载的功率对输入到网络的功率之比，即 7 对输入和输出端口，入射波和反射波的关系为 联立