五邑大学LED照明散热与概念.ppt

LED照明散热与分析 代 福 ioe_daif@126.com 结温 结温对LED性能的影响 LED热阻及计算 LED的全称Light Emitting Diode,即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。LED可以直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。 什么是LED LED发光原理 其发光过程包括三部分：正向偏压下 的载流子注入、复合辐射和光能传输。 微小的半导体晶片被封装在洁净的环 氧树脂物中，当电子经过该晶片时， 带负电的电子移动到带正电的空穴区 域并与之复合，电子和空穴消失的同 时产生光子。电子和空穴之间的能量 （带隙）越大，产生的光子的能量就 越高。光子的能量反过来与光的颜色 对应，可见光的频谱范围内，蓝色光、 紫色光携带的能量最多，桔色光、红 色光携带的能量最少。由于不同的材 料具有不同的带隙，从而能够发出不 同颜色的光。 本征半导体 N型半导体 （掺杂5价元素） 如果在硅或锗等半导体材料中加入微量的磷、锑、砷等五价元素，就变成以电子导电为主的半导体，即N型半导体。在N型半导体中，电子(带负电)叫多数载流子;空穴(带正电)叫少数载流子 。 如果在硅或锗等半导体材料中加入微量的硼、铟、镓或铝等三价元素，就变成以空穴导电为主的半导体，即P型半导体。在P型半导体中，空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子。 P型半导体 （掺杂3价元素） LED芯片结构图 大功率LED的散热问题 LED是个光电器件，其工作过程中只有25%～40%的电能转换成光能，其余的电能几乎都转换成热能，使LED的温度升高。在大功率LED中，散热是个大问题。 例如，1个10W白光LED若其光电转换效率为30%，则有7W的电能转换成热能，若不加散热措施，则大功率LED的器芯温度会急速上升，当其结温（TJ）上升超过最大允许温度时（一般是150℃），大功率LED会因过热而损坏。因此在大功率LED灯具设计中，最主要的设计工作就是散热设计。 LED结温 LED的基本结构是一个半导体P-N结。当电流流过LED元件时，P-N结的温度将上升。严格意义上说，P-N结区的温度即为LED的结温。通常，元件芯片的尺寸很小，因此，我们也把LED芯片的温度视之为结温。 产生LED结温的原因 a、元件不良的电极结构，视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒加，构成LED元件的串联电阻。当电流流过P—N结时，同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯片温度或结温的升高。 b、由于P—N结不可能极端完美，元件的注入效率不会达到100％，也即是说，在LED工作时除P区向N区注入电荷(空穴)外，N区也会向P区注入电荷 (电子)，一般情况下，后一类的电荷注入不会产生光电效应，而以发热的形式消耗掉了。即使有用的那部分注入电荷，也不会全部变成光，有一部分与结区的杂质或缺陷相结合，最终也会变成热。 c、实践证明，出光效率的限制是导致LED结温升高的主要原因。目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使LED极大多数输入电能转换成光辐射能，然而由于LED芯片材料与周围介质相比，具有大得多的折射系数，致使芯片内部产生的极大部分光子(90％)无法顺利地溢出介面，而在芯片与介质介面产生全反射，返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收，并以晶格振动的形式变成热，促使结温升高。 d、显然，LED元件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件。散热能力强时，结温下降，反之，散热能力差时结温将上升。由于环氧胶是低热导材料，因此P—N结处产生的热量很难通过透明环氧向上散发到环境中去，大部分热量通过衬底、银浆、管壳、环氧粘接层， PCB与热沉向下发散。显然，相关材料的导热能力将直接影响元件的热散失效率。一个普通型的LED，从P—N结区到环境温度的总热阻在300到 600℃／w之间，对于一个具有良好结构的功率型LED元件，其总热阻约为15到30℃ ／w。巨大的热阻差异表明普通型LED元件只能在很小的输入功率条件下，才能正常地工作，而功率型元件的耗散功率可大到瓦级甚至更高。 LED的输入功率是元件热效应的唯一来源，能量的一部分变成了辐射光能，其余部分最终均变成了热，从而抬升了元件的温度。显然，减小LED温升效应的主要方法， 一是设法提高元件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能， 另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散发到周围环境中去。 1、结温对LED性能的影响 K2系列的内部结构 结温：当LED发光时的PN结的温度 1.1 结温对光通量的影响 当LED