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半导体物理Semiconductor Physics 第五章 非平衡载流子 fengsj@cqupt.edu.cn 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 2 第五章 非平衡载流子 引言 半导体中许多重要的现象，如p-n结注入、晶体管放大、光电导、注入发光以及光生伏特效应等都是和过剩载流子相联系的。这一章主要介绍过剩载流子的变化(复合和产生)和运动的规律。 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 3 引言 5.1 非平衡载流子的注入与复合 5.2 准费米能级 5.3 复合理论 5.4 陷阱效应 5.5 载流子的扩散运动 5.6 载流子的漂移运动、爱因斯坦关系式 5.7 连续性方程 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 4 5.1 非平衡载流子的注入与复合 热平衡态 在热平衡情形下，如果不考虑统计涨落，则载流子浓度是恒定的。 但在外界作用下，这种情况可以被破坏。 非平衡态：系统对平衡态的偏离。 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 5 5.1.1 非平衡载流子的产生 光注入 电注入 其它注入 短波长的光 ?n= ?p 探针注入 p－n结注入 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 6 5.1.1 非平衡载流子的产生 非平衡载流子的表示 产生的非平衡载流子一般都用?n，?p来表示 。 达到动态平衡后： n=n0+?n p=p0+?p n0，p0为热平衡时电子浓度和空穴浓度 ， ?n，?p为非平衡载流子浓度。 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 7 5.1.1 非平衡载流子的产生 大注入和小注入 注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的多子浓 度，称为大注入。 n型：?nn0，p型：?pp0 注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的少子浓 度，小于平衡时的多子浓度，称为小注入。 n型：p0?nn0，或p型：n0?np0 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 8 5.1.1 非平衡载流子的产生 非平衡少数载流子更重要 以小注入为例 p-n结电流（6.2）！！ 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 9 5.1.2 非平衡时的附加电导 热平衡时： 非平衡时： ——附加电导率 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 10 5.1.3 非平衡载流子的检测 设外接电阻Rr(样品的电阻) (几乎不变) 光电导衰减法 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 11 5.1.4 非平衡载流子的复合与寿命 外界注入撤销后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡态恢复到平衡态，非平衡载流子逐渐消失——载流子的复合。 非平衡载流子在半导体中的生存时间——非平衡载流子的寿命。 非平衡载流子的复合是由不平衡趋向平衡的一种弛豫过程。它是一种统计性的过程。 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 12 5.1.4 非平衡载流子的检测和寿命 非平衡载流子的寿命 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 13 5.1.4 非平衡载流子的检测和寿命 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 14 5.1.5 非平衡载流子随时间的变化规律 有光照时 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 15 5.2 准费米能级 5.2.1 准平衡 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 16 5.2.1 准平衡 非平衡载流子的区间 不讨论 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 17 5.2.2 准费米能级 晶格弛豫 （10-10s） 复合 （～μs） 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 18 5.2.2 准费米能级 电子子系统与晶格平衡 空穴子系统与晶格平衡 但电子子系统和空穴子系统不平衡 “准平衡” 偏离热平衡的程度 非平衡时： 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 19 5.2.2 准费米能级 对于n型半导体，小注入时 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 20 5.3 复合理论 复合的分类 按复合过程： 直接复合 间接复合 按复合位置： 体内复合 表面复合 按能量交换方式： 辐射复合 非辐射复合 发射声子 俄歇复合 （发光） 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 21 5.3.1 直接复合 电子在导带和价带之间的直接跃迁 是动态的，统计的 单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 22 5.3.1 直接复合 非简并时，r只与T有关，而与n、p无关 2017-4-10 重庆邮电大学微电子教学部 23 5.3.