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半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 半导体物理学 与理想情况的偏离 晶格原子是振动的 材料含杂质 晶格中存在缺陷 点缺陷（空位、间隙原子） 线缺陷（位错） 面缺陷（层错） 与理想情况的偏离的影响 极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，同时也严重影响半导体器件的质量。 1个B原子/ 个Si原子 在室温下电导率提高 倍 Si单晶位错密度要求低于 与理想情况的偏离的原因 理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得原本周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，并在禁带中引入了能级，允许电子在禁带中存在，从而使半导体的性质发生改变。 硅、锗晶体中的杂质能级 例：如图所示为一晶格常数为a的Si晶胞，求： （a）Si原子半径 （b）晶胞中所有Si原子占据晶胞的百分比 解：（a） （b） 间隙式杂质、替位式杂质 杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，该杂质称为间隙式杂质。 间隙式杂质原子一般比较小，如Si、Ge、GaAs材料中的离子锂（0.068nm）。 杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，该杂质称为替位式杂质。 替位式杂质原子的大小和价电子壳层结构要求与被取代的晶格原子相近。如Ⅲ、Ⅴ族元素在Si、Ge晶体中都为替位式杂质。 间隙式杂质、替位式杂质 单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度 练习 1、实际情况下k空间的等能面与理想情况下的等能面分别是如何形状的？它们之间有差别的原因？ 2、实际情况的半导体材料与理想的半导体材料有何不同？ 3、杂质和缺陷是如何影响半导体的特性的？ 施主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子， 并成为带正电的离子。如Si中的P 和As N型半导体 半导体的掺杂 施主能级 受主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴， 并成为带负电的离子。如Si中的B P型半导体 半导体的掺杂 受主能级 半导体的掺杂 Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中分别为受主和施主杂质，它们在禁带中引入了能级；受主能级比价带顶高 ，施主能级比导带底低 ，均为浅能级，这两种杂质称为浅能级杂质。 杂质处于两种状态：中性态和离化态。当处于离化态时，施主杂质向导带提供电子成为正电中心；受主杂质向价带提供空穴成为负电中心。 半导体中同时存在施主和受主杂质，且 。 N型半导体 N型半导体 半导体中同时存在施主和受主杂质，且 。 P型半导体 P型半导体 杂质的补偿作用 半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是N型还是P型由杂质的浓度差决定 半导体中净杂质浓度称为有效杂质浓度（有效施主浓度；有效受主浓度） 杂质的高度补偿（ ） 点缺陷 弗仓克耳缺陷 间隙原子和空位成对出现 肖特基缺陷 只存在空位而无间隙原子 间隙原子和空位这两种点缺陷受温度影响较大，为热缺陷，它们不断产生和复合，直至达到动态平衡，总是同时存在的。 空位表现为受主作用；间隙原子表现为施主作用 点缺陷 替位原子（化合物半导体） 位错 位错是半导体中的一种缺陷，它严重影响材料和器件的性能。 位错 施主情况 受主情况 练习 1、Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge晶体中为深能级杂质。 （ ） 2、受主杂质向价带提供空穴成为正电中心。（ ） 3、杂质处于两种状态：（ ）和（ ）。 4、空位表现为（ ）作用，间隙原子表现为（ ）作用。 5、以Si在GaAs中的行为为例，说明Ⅳ族杂质在Ⅲ—Ⅴ化合物中可能出现的双性行为。 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 半导体物理学 热平衡状态 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 态密度的概念 能带中能量 附近每单位能量间隔内的量子态数。 能带中能量为 无限小的能量间隔内有 个量子态，则状态密度 为 态密度的计算 状态密度的计算 单位 空间