微机接口_第六章存储器.pptVIP

※ 闪速存储器可实现大规模电擦除。 ※ 闪速存储器的擦除功能可迅速清除整个器件中所有内容。 ※ 闪速存储器可以被擦除和重新编程几十万次而不会失效。 刷新放大器 数据I/O线 T1 CS 行选择信号 图6.9 单管DRAM基本存储元电路 T2 列选择 信号 图4.9为单管动态RAM的基本存储电路，由MOS晶体管和一个电容CS组成。 特点： (1) 每次读出后，内容被破坏，要采取恢复措施，即需要刷新，外围电路复杂。 (2) 集成度高，功耗低。 典型的动态RAM芯片 一种典型的DRAM如Intel 2164。2164是64K×1位的DRAM芯片，片内含有64K个存储单元，所以，需要16位地址线寻址。为了减少地址线引脚数目，采用行和列两部分地址线各8条，内部设有行、列地址锁存器。利用外接多路开关，先由行选通信号RAS选通8位行地址并锁存。随后由列选通信号CAS选通8位列地址并锁存，16位地址可选中64K存储单元中的任何一个单元。 图6.10(a) Intel 2164 DRAM芯片引脚图 GND Din A7 A5 A4 A3 A6 Dout VCC A0 A1 A2 NC 2164 1 16 8 9 WE RAS CAS A0~A7：地址输入 CAS：列地址选通 RAS：行地址选通 WE：写允