半导体表面与MIS结构研究.ppt

* * 本章内容提要 表面态 表面电场效应 MIS结构C-V特性 硅－二氧化硅系统 表面电导 8 半导体表面与MIS结构 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 表面：固体与真空之间的分界面。 界面：不同相或不同类的物质之间的分界面 。 固体有限 表面 界面 周围的环境相互作用 物理和化学特性产生很大影响 新兴的多学科 综合性边缘学科 主要内容 表面电场效应 表面态 表面电导及迁移率 硅－二氧化硅系统（了解） MIS结构电容－电压特性 清洁表面 ：一个没有杂质吸附和氧化层的实际表面 真实表面：由于环境的影响，实际接触的表面往往 生成氧化物或其他化合物，还可能有物理吸附层， 甚至还有与表面接触过的多种物体留下的痕迹。 8.1 表面态 1.理想表面和实际表面 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同， 且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 实际表面 清洁表面 表面驰豫：沿垂直表面方向偏离平衡位置 表面重构：沿平行表面方向偏离平衡位置 总结： “表面”并不是一个几何面，而是指大块晶体的三维周期结构与真空之间的过渡区，它包括了所有不具有体内三维周期性的原子层。 硅理想表面示意图 表面能级示意图 一定条件下，每个表面原子在禁带中对应一个表面能级