ch5扩散研讨.ppt

设R0为磨槽所用工具的半径，则结深为： 当R0a,b时，有： 在半导体上磨槽，并在溶液中腐蚀、染色（例如在100ml的HF中加几滴硝酸溶液形成对硅的腐蚀液）使P型区比N型区颜色深，就能显示出结深的轮廓。 5.6.1结深的测量 5.6.2表面浓度的确定 表面浓度相同Cs，杂质分布不确定； 方块电阻R□相同，Cs不相同，杂质分布仍不确定； 方块电阻R□、表面浓度Cs、结深xj三者存在对应关系，已知其中两个，第三个就唯一确定； 结深和方块电阻可以方便测出来，表面浓度直接测比较困难。 扩散层薄板电阻 四探针法：探针等间距配置，恒流源供给外面两根探针一个小电流I，内部两个探针之间可以测量到电压V。 电阻率： CF为修正因子，它为样品的几何形状及探针间距的函数(d/s) 。 次表面薄层电阻：在扩散表面之下自某个深度x的平面到pn结位置之间的一个薄层的电阻，表示为： xjc，xje分别为基区扩散和发射区扩散的结深， 为基区薄层的平均电阻率。 5.6.2表面浓度的确定 几种典型pn结反向特性I-V曲线 5.6.2器件的电学特性与扩散工艺的关系 （a）软击穿：无明显的拐点。与pn结附近的表面状态、晶格缺陷以及结附近的杂质沾污等因素有关； （b）低压硬击穿：远小于理论值时就发生击穿。与pn结较大的局部尖峰，基区过窄或外延层过薄等因素有关； （c）靠背椅击穿：反相电压很小时，反相电流随电压的升高迅速增大。由于表面沟道效应引起； （d）分段击穿：低电压下有一击穿点，高电压下再次发生击穿。产生的原因多是几篇内部的层错，位错等密度过高。 快速气相掺杂（Rapid Vapor-phase Doping） RVD利用快速热处理过程将处在掺杂气氛中的硅片快速均匀地加热，同时掺杂剂发生反应产生杂质原子，杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态，然后进行固相扩散，能形成超浅结。 杂质分布是非理想的指数形式，类似固态扩散，峰值在表面。 5.7扩散工艺的发展 气体浸没激光掺杂（Gas Immersion Laser Doping） GILD是高能激光照射处于气态源(PF5或BF3)中的硅表面，使其表面熔融，通过液相扩散（比在固相快约8个数量级），杂质快速并均匀地扩散到整个熔化层中。激光照射停止，熔体固相外延转变为晶体。由熔体变为晶体的速度非常快(＞3m／s)。 5.7扩散工艺的发展 本章重点 扩散机理：三种扩散机构 扩散方程：Fick定律，恒定表面源扩散（余误差分布），限定表明源扩散（高斯分布） 扩散系数：主要影响因素 扩散工艺：源、方法，工艺参数； 测量参数R□、Xj、Cs参数    5.2.2 扩散方程 菲克第二定律 当扩散处于非稳态，即各点的浓度随时间而改变时，利用第一定律不容易求出。 通常的扩散过程大都是非稳态扩散，为便于求出，还要从物质的平衡关系着手，建立第二个微分方程式。 讨论晶体中杂质浓度与扩散时间的关系，又称Fick第二定律。 dx J1 J2 A x x+dx 注：J1，J2分别为流入、 流出该体积元的杂质流量 菲克第二定律 假设一段具有均匀横截面A的长方条材料，考虑其中长度为dx的一小段体积，则流入、流出该段体积的流量差 在距离x处，杂质浓度随扩散时间t的变化率等于扩散通量随距离变化的负值(根据物质守恒定律，浓度随时间的变化等于扩散通量的减小。) 如果扩散系数D与浓度无关， 则由Fick第一定律可得 5.2.2 扩散方程 5.2.3 扩散系数 D0为表观扩散系数 Ea为扩散激活能 (cm2/s) Ea/kT) ( D )/kT] w (w [ v a D P a D x C(x,t) P a P ,t a x aC P ,t a x aC J v s v v v v - = + - = = ? ? - = ? ? ? è ? + - ? ? ? è ? - = exp exp 2 2 0 0 2 2 2 扩散系数(Diffusion coefficient)D是描述扩散速度的重要物理量， 它相当于浓度梯度为1时的扩散通量 。 在t时刻，通过x处单位面积的净粒子数目，即粒子流密度为 5.2.3 扩散系数 填隙式扩散：在硅及砷化镓中,Ea值均在0.5~1.5eV间。 替位式扩散在硅及砷化镓中,Ea值均在3~5eV间。 上部曲线为快扩散杂质，如Cu在Si和GaAs中，测量到的激活能Ea小于2eV，以填隙式运动为主。 下部曲线为慢扩散杂质， 如As在Si和GaAs中，测量到的激活能Ea大于3eV，以替位式为主。 一些杂质在硅〈111〉面中的扩散系数 5.2.3 扩散系数 5.3杂质的扩散掺杂 扩散工艺是要将具有电活性的杂质，在一定温度，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需