尼曼 半导体物理与器件第五章研讨.pptVIP

第五章 载流子输运现象 * 前边讨论的都是均匀掺杂半导体，实际半导体器件中，经常有非均匀掺杂的区域。 热平衡状态下：非均匀掺杂将导致杂质浓度空间分布不同，从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度将产生扩散电流。并且由于局域的剩余电荷（杂质离子）存在而产生内建电场。 内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向相反，当达到动态平衡时，两个电流相等，不表现出宏观电流，从而造成了迁移率和扩散系数之间的关联：爱因斯坦关系。 5.3 杂质梯度分布 第五章 载流子输运现象 * （1） 感生电场 E x Ec Ev EFi EF 热平衡状态不均匀掺杂n型半导体 nx 热平衡状态，费米能级为一个常数，因而非均匀掺杂半导体不同位置?E=Ec-EF不同。 多子（电子）从高浓度位置流向低浓度位置，即电子沿+x方向流动，同时留下带正电荷施主离子；施主离子与电子在空间上的分离将会诱生出一个指向+x的内建电场，该电场会阻止电子进一步扩散。 达到平衡后，空间各处电子浓度不完全等同于施主杂质的掺杂浓度，但是这种差别并不是很大。（准电中性条件） 第五章 载流子输运现象 * 对于非均匀掺杂的n型半导体，定义各处电势（电子势能除以电子电量-e）： 一维感生电场定义： 假设电子浓度与施主杂质浓度基本相等（准电中性条件），则： 注意：电子势能负值；电子电量负值；电势正值。 第五章 载流子输运现象 * 热平衡时费米能级EF恒定，所以