改 3光辐射探测器的理论基础研讨.ppt

3.1 半导体基础 半导体特性 能带结构 i，n和p型半导体 热平衡下的载流子的浓度 半导体中的非平衡载流子 载流子的扩散与漂移 半导体特性 电阻温度系数是负的，对温度变化敏感 温度升高，电阻下降 优点：测温 缺点：精度受环境影响，实现高精度需恒温 导电性能受微量杂质的影响而发生十分敏感的变化 室温下纯硅 电导率5*10-6/Ω/cm 室温下纯度为99.9999%硅 电导率2/Ω/cm 导电能力和性质受光电磁等外界作用发生重要的变化 第一节 半导体基础 半导体特性 能带结构 i，n和p型半导体 热平衡下的载流子的浓度 半导体中的非平衡载流子 载流子的扩散与漂移 孤立原子中的电子状态 电子按照一定的壳层排列 电子在壳层上的分布遵守泡利不相容原理和能量最低原则 电子具有确定的分立能量值 电子的共有化运动 晶体中的能带 电子在晶体中不仅受本身原子势场影响，还受周围原子势场作用，该作用使本来处于同一能量状态的、不同位置的电子发生了能量微小的差异 晶体中若有N个原子，每个相同能级都分裂为N个新的能级，成为能带。 允带-----电子可占据的能带。 禁带-----电子占据不了的间隙叫禁带。 满带---被电子占满的允带称满带 价带---晶体最外层电子能级分裂所成的能带。 导带---比价带能量更高的允带称导带。 自由电