第5章半导体存储器分解.ppt

第5章 半导体存储器 5．1 半导体存储器的分类 存储器的分类： 1、按存储介质分： 半导体存储器——集成电路芯片，用作内存 磁表面存储器——磁盘存储器、磁带存储器，用作外存 光存储器——光盘，用作外存 2、按工作方式分： 只读存储器（ROM）——断电信息保存，用于保存参数、数据和系统程序 RAM存储器——断电信息即失，可随机读或写 3、按计算机体系结构分： 高速缓冲存储器（Cache）——高速存取，与CPU匹配 主存储器（内存）——CPU直接访问，速度快，容量小，分为RAM和ROM 辅助存储器（外存）——CPU不直接访问，容量较大 5．1．2半导体存储器的性能指标 1．容量 存储器可以容纳的二进制信息的位数 表示为：存储单元数×位数 存储单元=2地址线数 位数=数据线数 2．存取时间 从存储器接到读（或写）命令到完成读（或写）操作所需的时间，也称为存储器访问时间（TA） 3 ．存储周期 存储器进行两次连续、独立的操作之间所需的时间（ TM ）。存储器在存取数据后要进行周期切换，所以存储周期略大于存取时间。 4 ．存储器带宽 单位时间里存储器所存取的信息量，是衡量数据传输的重要指标。 单位：位/秒、字节/秒 5．1．1半导体存储器的分类 5．2 随机存取存储器RAM 双极型（TTL）半导体存储器 分类 静态MOS存储器（SRAM） 金属氧化物（MOS） 动态MOS存储器（DRAM） 优点：存取速度快，体积小 可靠性高，价格低 缺点：断电信息即丢失 双极型RAM的特点 （1）速度快 （2）功耗大 （3）成本高 （4）主要用于速度要求较高的微机中或作为Cache 静态MOS存储器的特点 （1）存取速度比动态RAM快 （2）功耗比双极型低，但比动态RAM高 （3）不需要刷新，可省去刷新电路 动态MOS存储器的特点 （1）价格便宜 （2）集成度高 （3）需要定时刷新 5．3 只读存储器ROM 掩膜式ROM PN结击穿型PROM 分类 一次可编程ROM 熔丝熔断型PROM 可编程ROM 光可擦除可编程EPROM 多次可编程ROM 电可擦除可编程EEPROM 优点：具有不易失性，断电信息不丢失 用途：存放系统文件和参数，便于系统调用 5．4 存储器接口设计 5．4．1 存储器地址分配及译码器 1．存储器地址分配 在进行存储器与CPU连接前，首先要确定内存容量的大小和选择存储器芯片的容量大小。 2．存储器地址译码器 存储器系统设计是将芯片与所确定的地址空间联系起来，即将芯片中的存储单元与实际地址一一对应，这样才能通过寻址对存储单元进行读写。 5．4．2 存储器扩展 数据线连接——芯片（组）的数据线直连数据总线 控制线连接——芯片的读/写线连接到控制总线的访存读/写控制线 地址线连接——片内寻址和片外地址译码 低位地址线——片内存储单元寻址，线数等于芯片的地址线数 高位地址线——片外地址译码（电路译码，译码器译码）产生片选信号（CS、CE） 剩余地址线全部译码：全地址译码 剩余地址线部分译码：部分地址译码 地址译码——高位地址线经过外地址译码产生芯片的片选信号 （一）地址译码方法 全地址译码 高位地址线全部用来译码产生片选信号，芯片地址空间唯一。 （1）组合逻辑电路译码——门电路译码 （2）集成译码器译码——少量地址输入产生多个片选输出 译码器：2-4译